半导体物理(第七章).描述.pptVIP

关于功函数的几点说明: 隧道效应的影响 微观粒子要越过一个势垒时，能量超过势垒高 度的微粒子，可以越过势垒，而能量低于势垒高 度的粒子也有一定的概率穿过势垒，其他的则被 反射。这就是所谓微粒子的隧道效应。 两种理论结果表示的阻挡层电流与外加电压变化关系基本一致，体现了电导非对称性——正向电压，电流随电压指数增加；反向电压，电流基本不随外加电压而变化 JSD与外加电压有关；JST与外加电压无关，强烈 依赖温度T。当温度一定，JST随反向电压增加 处于饱和状态，称之为反向饱和电流。 结论：只有在反向电压较高时，电子的动能较大， 使有效势垒高度下降较多，对反向电流的影 响才是显著的。 7.2.3 肖特基势垒二极管 肖特基势垒二极管——利用金属-半导体整流接触特性制成的二极管。 与pn结的相同点： 单向导电性。 与pn结的不同点： pn结正向电流为非平衡少子扩散形成的电流,有显著的电荷存储效应；肖特基势垒二极管的正向电流主要是半导体多数载流子进入金属形成的，是多子器件，无积累，因此高频特性更好。 肖特基二极管JsD和JsT比pn结反向饱和电流Js大得多，因此对于同样的使用电流，肖特基二极管有较低的正向导通电压。 n型阻挡层，体内电子浓度为n0，接触面处的电子浓度是 电子的阻挡层就是空穴积累层。在势垒区，空穴的浓度在表面处最大。体内空穴浓度为p0，则表面浓度为 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触7.3.1 少数载流子的注入 平衡时，空穴的扩散运动和由于内电场产生的漂移运动相等，净电流为零。 加正压时，势垒降低，除了前面所提到的电子形成的电子流以外，空穴的扩散运动占优，形成自金属向半导体内部的空穴流，形成的电流与电子电流方向一致，因此总的正向电流包含电子流和少数载流子空穴流。 空穴电流大小，取决于阻挡层的空穴浓度和空穴进入半导体内扩散的效率。 平衡时，如果接触面处有 此时若有外加电压，空穴电流的贡献就很重要了。 势垒中空穴和电子所处的情况几乎完全相同，只是空穴的势垒顶在阻挡层的内边界。 加正电压时，势垒两边界处的电子浓度将保持平衡值，而空穴先在阻挡层内界形成积累，然后再依靠扩散运动继续进入半导体内部。 综上，在金属和n型半导体的整流接触上加正向电压时，就有空穴从金属流向半导体，这种现象称为少数载流子的注入。 加正向电压时，少数载流子电流与总电流值比称为 少数载流子的注入比，用γ表示。对n型阻挡层而言. 7.3.2 欧姆接触 金属与半导体形成的非整流接触，这种接触不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的变化。理想欧姆接触的接触电阻与半导体样品或器件相比应当很小。 实现 反阻挡层没有整流作用，选用合适的金属材料，可能得到欧姆接触。但由于常见半导体材料一般都有很高的表面态密度，因此很难用选择金属材料的办法来获得欧姆接触。 重掺杂的半导体与金属接触时，则势垒宽度变得很薄，电子通过隧道效应贯穿势垒产生大隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分，即可形成接近理想的欧姆接触。 常常是在n型或p型半导体上制作一层重掺杂区域后再与金属接触，形成金属-n 或金属-p型结构。 + + 目前，实际生产中，主要利用隧道效应的原理在半导体上制造欧姆接触。 接触电阻：零偏压下的微分电阻 把导带底Ec选作电势能的零点，可得 电子势垒 令y=d0-x，则 根据量子力学中的结论，x=d0处导带底电子通过隧道效应贯穿势垒的隧道概率为 有外加电压时，势垒宽度为d，表面势为[(Vs)0+V]，则隧道概率 隧道电流与隧道概率成正比 进而可得到 掺杂浓度越高，接触电阻越小。 一、金属-半导体接触形成的四种接触类型（4个方面、能带图）； 二、金属-半导体的整流接触的理论分析；两种电流-电压方程；肖特基二极管与pn结二极管的差异； 三、少数载流子注入和欧姆接触的概念； 本章主要内容回顾： * * 第7章 金属和半导体的接触 7.1 金属半导体接触及其能级图 真空中静止电子的能量。表示电子跑出材料外进入真空中所必须具有的最低能量。它对所有的材料都是相同的。 (一) 真空能级E0 指将一个电子从费米能级转移到真空能级所需的能量。其大小标志着束缚电子的强弱，功函数越大，电子越不容易离开材料。 (二) 功函数 金属功函数 (表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需的最小能量。) 金属中的电子势阱 金属中的电子虽然能在金属中自由运动，但绝大多数所处的能级都低于体外能级。要使电子从金属中逸出