半导体物理-复习(刘恩科).pptVIP

饱和电离 lnn 本征区 饱和区 杂质电离区 图4.5 N型半导体中电子浓度随温度的变化 E T 0 图4.6 费米能级随温度的变化 有杂质补偿的半导体 在NdNa的半导体中 在NaNd的P型半导体中 Na=Nd的半导体中 完全补偿的半导体 N型半导体(NdNa) 杂质电离情况下：NdNa，则受主完全电离，pa=0 由于本征激发可以忽略，则电中性条件为 低温区电离情况 在更低的温度下 杂质饱和电离情况 简并半导体 ：属于非简并； ：属于弱简并； ：属于简并． 禁带变窄 冻析效应 第四章 半导体的导电性 漂移运动：电子在电场力作用下的运动 迁移率：单位场强下电子的平均漂移速度 电导率 电流密度 散射及散射机构 平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程 散射机构 （1）电离杂质散射 （2）晶格振动散射 声学波 光学波 （3）其他散射：能谷散射、中性杂质散射、位错散射 长纵声学波在长声学波中起主要作用 电阻率与温度的关系 载流子主要由电离杂质提供 杂质全部电离，晶格振动散射上升为主要矛盾 本征激发成为主要矛盾 强电场效应 现象：偏离欧姆定律 解释：从载流子与晶格振动散射时的能量交换过程来说明 第五章 非平衡载流子 施加外界作用 偏离热平衡态 产生非平衡载流子 破坏热平衡条件 比平衡态多出来一部分载流子 非平衡载流子 n：非平衡态下的电子浓度 p：非平衡态下的空穴浓度 n0：平衡态下的电子浓度 p0：平衡态下的电子浓度 非平衡载流子的复合：当 半导体由非平衡态恢复为 平衡态，过剩载流子消失 的过程。 准费米能级 当半导体处于非平衡状态，不再具有统一的费米能级，引入准费米能级 非平衡态下电子浓度： 非平衡态下空穴浓度： 复合理论 直接复合 电子在导带和价带之间的直接跃迁 间接复合 非平衡载流子通过复合中心的复合 间接复合的四个过程 过程前 过程后 载流子的扩散运动 稳定扩散的条件： 单位时间在单位体积内 积累的载流子＝由于复合而消失的载流子 空穴扩散系数 非平衡少数载流子的寿命 非平衡少数载流子浓度 爱因斯坦关系式(意义，推导) 从理论上找到扩散系数和迁移率之间的定量关系 迁移率 电场作用下运动的难易程度 扩散系数 存在浓度梯度下载流子运动的难易程度 第五章 p-n结 第五章 p-n结 1、内建电场结果 2、费米能级相等标志了载流子的扩散电流和漂移电流互相抵消 p-n结接触电势差VD VD和p-n结两边的掺杂浓度、温度、材料的禁带宽度有关。 在一定温度下，●突变结两边的掺杂浓度越高，接触电势差VD越大； ●禁带宽度越大，ni越小，接触电势差VD越大； 正向偏压 反向偏压 p-n结电流电压特性 正向偏压下p-n结的费米能级 反向偏压下p-n结的费米能级 理想pn结的电流电压方程式 pn结电容 势垒电容 扩散电容 * 非平衡多数载流子，非平衡少数载流子，通常所说的非平衡载流子指非平衡少数载流子 * 扩散是一与浓度有关的过程 空穴扩散系数 空穴扩散系数 空穴扩散系数 空穴扩散系数 空穴扩散系数：反映非平衡少数载流子扩散本领的大小。 * 爱因斯坦关系式不但可用于平衡载流子，也用于非平衡载流子，表明了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系 半导体物理 半导体物理复习课 第一章 半导体中的电子状态 晶体结构与共价键 金刚石型结构 闪锌矿型结构 纤锌矿型结构 氯化钠型结构 能级与能带 电子在原子核势场和 其他电子作用下分列 在不同能级 相邻原子壳 层形成交叠 原子相互接近 形成晶体 共有化运动 共有化运动：由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动 只有外层电子共有化运动最显著 能级分裂 能带形成 满带或价带 导带 本征激发 常用禁带宽度 硅：1.12eV 锗：0.67eV 砷化镓：1.43eV 半导体中电子状态和能带 晶体中的电子 VS 自由电子 严格周期性重复排列的原子间运动 恒定为零的势场中运动 单电子近似：晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场 以及其他大量电子的平均势场中运动，这个势场也是周期变化的， 并且它的周期与晶格周期相同。 半导体中的电子运动 半导体中E(k)与k的关系 电子速度与能量关系 电子有效质量 有效质量的意义： f a 1、概括了半导体内部势场的作用 2、a是半导体内部势场和外电场作用的综合效果 3、直接将外力与电子加速度联系起来 空穴 正电 有效质量为