- 1、本文档共9页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
(二)模拟电子技术部分
1半导体器件 (讲课4学时,共2次课)
课题名称
(章节题目)
第1次课:二极管和稳压管
教学目的
和 要 求
了解二极管和稳压管的结构、工作原理;
掌握特性曲线、主要参数和应用;
3、 理解PN结的单向导电性。
教学重点
和 难 点
重点:掌握主要特性、主要参数的含义,掌握各元件的应用。
难点:PN结的单向导电性。
教学方式
多媒体或胶片投影或传统方法
教
学
过
程
一、复习提问、导入新课
回顾接触过的半导体知识
二、讲授新课
1、半导体的导电特性
2、半导体二极管
三、 总结
本次课应着重掌握和理解以下几个问题:
1、半导体的导电性受外界条件的影响特别是温度和光照,利用这些特点可以制造许多元件,但是也给半导体器件工作的稳定带来影响。
2、PN结具有单向导电性,加正向电压导通可以通过很大的正向电流。加反向电压截止仅有很小的反向电流通过。
9.1半导体的导电特性
1、物质按导电性分类:
(1)导体:金属
(2)绝缘体:橡胶、塑料、陶瓷等
(3)半导体:硅、锗、一些流化物、氧化物
2、载流子
(1)自由电子
(2)空穴
3、本征半导体(纯净 99.99999%)
(1)将元素的原子排列整齐时的结构(单晶体与多晶体)
(2)原子核外层的电子:价电子决定化学性质(Si +4价、Ge +4价)
(3)稳定时共价健中的价电子不能成为自由电子,受外界激发(光照、加热)
①挣脱束缚:形成自由电子并在原共价键中留下空位(即空穴)
②填补空位:自由电子与穴同时消失(即复合)
4、掺杂半导体
(1)硅(锗)晶体内掺入少量的五价元素(磷、锑)
①多子(主要导电的载粒子):自由电子
②少子:空穴(热激发形成)
主要导电方式取决于多子,称电子型或N型半导体
(2)硅(锗)晶体内掺入少量的三价元素(硼、铝)
①多子:空穴
②少子:自由电子(热激发形成)
导电方式取决于多子(空穴)称空穴型或P型半导体
5、半导体特性
(1)热敏性:温度敏感元件(热敏电阻)
(2)光敏性:光敏元件(光敏电阻、二极管、三极管、电池)
(3)掺杂性
6、PN结及单向导电性
(1)PN结的形成
①扩散
②漂移
③动态平衡
(2)单向导电性
①PN结加正向电压(正偏置)
高电位端 P区
低电位端 N区
E外与E内方向相反,削弱内电场,空间电
荷区变薄,多子的扩散加强,形成扩散电
流(I正);E外越大,I正越大(PN结导通,
呈低阻状态)。
②PN结加反向电压(反偏置)
高位端 N区
低位端 P区
E外与E内方向相同,增强内电场,空间电荷区变宽,少子的漂移运动加强,形成漂移电流(I反)。少子数量少且与温度有关,故I反小且与温度有关而与E外无关(PN结截止,呈高阻状态)
9.2半导体二极管
1、结构
(1)点接触:PN结面积小,极间电容小,小电流(高频检波、脉冲数字电路中的开头元件)
(2)面接触:PN结面积大,胡间电容大,电流大(整流)
2、符号
阳(+) 阴(-)
3、伏安特性
I = f(U)
(1)正向特性
①死区电压
硅管:0.5V
锗管:0.1V
②工作电压(正向导通区)
硅管:0.7V
锗管:0.3V
(2)反向特性
①反向饱和电流
硅管:纳安级
锗管:微安级
因少子数量小,故I反小
但是:toc↑→少子↑→I反↑
②反向击穿特性
齐纳击穿(可恢复):外强电场强行把共价健的电子拉出
雪崩击穿(可恢复):被拉出的电子撞击原子使自由电子增加↑
热击穿(不可恢复):高速运动的电子热量增加→材料温度禁用
4、主要参数
(1)大整流电流IOM
(2)反向工作峰值电压URWM
(3)反向峰值电流IRM
5、应用
(1)检波——把已调制好的高频信号中的低频信号取出
调制:低频信号使高频信号的幅度、频率等随之变化
(2)整流——把交流变换成直流
(3)钳位
(4)限幅
例题分析:
如图所示电路,输入端A的电位UA=+3V,B点的电位UB=0V,电阻R接电源电压为-15V,求输出端F的电位UF。
【解】 因为DA和DB为共阴极连接,A、B两端为它们
的阳极,因此UA、UB中的高电位对应的管子将会优先导通。
由UA>UB可知,DA将会优先导通。如果DA为硅二极管,其正向压降约为0.7V,则此时UF=+3-0.7=+2.3V。当DA导通后,DB因承受反向电压而截止。
在此处,DA起的就是钳位作用,把F端的电位钳置在+2.3V;DB起隔
文档评论(0)