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（二）模拟电子技术部分 1半导体器件 (讲课4学时，共2次课) 课题名称 （章节题目） 第1次课：二极管和稳压管 教学目的 和 要 求 了解二极管和稳压管的结构、工作原理; 掌握特性曲线、主要参数和应用; 3、 理解PN结的单向导电性。 教学重点 和 难 点 重点：掌握主要特性、主要参数的含义，掌握各元件的应用。 难点：PN结的单向导电性。 教学方式 多媒体或胶片投影或传统方法 教 学 过 程 一、复习提问、导入新课 回顾接触过的半导体知识 二、讲授新课 1、半导体的导电特性 2、半导体二极管 三、 总结 本次课应着重掌握和理解以下几个问题： 1、半导体的导电性受外界条件的影响特别是温度和光照，利用这些特点可以制造许多元件，但是也给半导体器件工作的稳定带来影响。 2、PN结具有单向导电性，加正向电压导通可以通过很大的正向电流。加反向电压截止仅有很小的反向电流通过。 9.1半导体的导电特性 1、物质按导电性分类： （1）导体：金属 （2）绝缘体：橡胶、塑料、陶瓷等 （3）半导体：硅、锗、一些流化物、氧化物 2、载流子 （1）自由电子 （2）空穴 3、本征半导体（纯净 99.99999%） （1）将元素的原子排列整齐时的结构（单晶体与多晶体） （2）原子核外层的电子：价电子决定化学性质（Si +4价、Ge +4价） （3）稳定时共价健中的价电子不能成为自由电子，受外界激发（光照、加热） ①挣脱束缚：形成自由电子并在原共价键中留下空位（即空穴） ②填补空位：自由电子与穴同时消失（即复合） 4、掺杂半导体 （1）硅（锗）晶体内掺入少量的五价元素（磷、锑） ①多子（主要导电的载粒子）：自由电子 ②少子：空穴（热激发形成） 主要导电方式取决于多子，称电子型或N型半导体 （2）硅（锗）晶体内掺入少量的三价元素（硼、铝） ①多子：空穴 ②少子：自由电子（热激发形成） 导电方式取决于多子（空穴）称空穴型或P型半导体 5、半导体特性 （1）热敏性：温度敏感元件（热敏电阻） （2）光敏性：光敏元件（光敏电阻、二极管、三极管、电池） （3）掺杂性 6、PN结及单向导电性 （1）PN结的形成 ①扩散 ②漂移 ③动态平衡 （2）单向导电性 ①PN结加正向电压（正偏置） 高电位端 P区 低电位端 N区 E外与E内方向相反，削弱内电场，空间电 荷区变薄，多子的扩散加强，形成扩散电 流（I正）；E外越大，I正越大（PN结导通， 呈低阻状态）。 ②PN结加反向电压（反偏置） 高位端 N区 低位端 P区 E外与E内方向相同，增强内电场，空间电荷区变宽，少子的漂移运动加强，形成漂移电流（I反）。少子数量少且与温度有关，故I反小且与温度有关而与E外无关（PN结截止，呈高阻状态） 9.2半导体二极管 1、结构 （1）点接触：PN结面积小，极间电容小，小电流（高频检波、脉冲数字电路中的开头元件） （2）面接触：PN结面积大，胡间电容大，电流大（整流） 2、符号 阳（+） 阴（-） 3、伏安特性 I = f（U） （1）正向特性 ①死区电压 硅管：0.5V 锗管：0.1V ②工作电压（正向导通区） 硅管：0.7V 锗管：0.3V （2）反向特性 ①反向饱和电流 硅管：纳安级 锗管：微安级 因少子数量小，故I反小 但是：toc↑→少子↑→I反↑ ②反向击穿特性 齐纳击穿（可恢复）：外强电场强行把共价健的电子拉出 雪崩击穿（可恢复）：被拉出的电子撞击原子使自由电子增加↑ 热击穿（不可恢复）：高速运动的电子热量增加→材料温度禁用 4、主要参数 （1）大整流电流IOM （2）反向工作峰值电压URWM （3）反向峰值电流IRM 5、应用 （1）检波——把已调制好的高频信号中的低频信号取出 调制：低频信号使高频信号的幅度、频率等随之变化 （2）整流——把交流变换成直流 （3）钳位 （4）限幅 例题分析： 如图所示电路，输入端A的电位UA＝+3V，B点的电位UB＝0V，电阻R接电源电压为-15V，求输出端F的电位UF。 【解】 因为DA和DB为共阴极连接，A、B两端为它们 的阳极，因此UA、UB中的高电位对应的管子将会优先导通。 由UA＞UB可知，DA将会优先导通。如果DA为硅二极管，其正向压降约为0.7V，则此时UF＝+3-0.7＝+2.3V。当DA导通后，DB因承受反向电压而截止。 在此处，DA起的就是钳位作用，把F端的电位钳置在+2.3V；DB起隔