模拟电子技术-第九章-功率放大电路要点.pptVIP

作业（P511） 9-19 9-20 电路引入了电压并联负反馈，提高了电路的稳定性。 A D1 RL T1 uI + _ + VCC _ iB1 iB2 T2 D2 uO + _ R3 R4 + _ R2 R1 i4 i3 VCC 2. 电路的闭环电压增益 Auf≈－R2/R1 · A D1 RL T1 uI + _ + VCC _ iB1 iB2 T2 D2 uO + _ R3 R4 + _ R2 R1 i4 i3 VCC 思 考 题 1. 乙类互补推挽功率放大器产生交越失真的原因是什么？怎样克服交越失真？ 三. 功率器件与散热 9.3.1 双极型功率晶体管（BJT） 1. 功率管的选择 (1) PCM≥0.2Pom (2) |U(BR)CEO|2VCC (3) ICM＞VCC/RC 三. 功率器件与散热 在互补推挽功率放大电路中,功率管的极限参数应满足以下关系 2．二次击穿的影响 iC uCE O B A 二次击穿 一次击穿 S/B曲线 二次击穿现象 二次击穿临界曲线 iC uCE O 1. V型NMOS管的结构 结构剖面图 9.3.2 功率MOSFET s 源极 g 栅极 金属 源极 S i O2 沟道 沟道 外延层 衬底 d 漏极 _ N + P P N N + N + 2. V型NMOS管的主要特点 (1) 开关速度高 (2) 驱动电流小 (3) 过载能力强 (4) 易于并联 IGBT等效电路 d T1 g s R T2 IGBT电路符号 g s d T 9.3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点： (1) 输入阻抗高 (2) 工作速度快 (3) 通态电阻低 (4) 阻断电阻高 (5) 承受电流大 兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。 外壳c 集电结j 散热器s R ( t h ) j c R ( t h ) c s R ( t h ) s a 环境a 9.3.4 功率器件的散热 晶体管的散热示意图 导电回路（电路） 散热回路（热路） 参 量 符 号 单 位 参 量 符 号 单位 电 压 U V 温 差 ΔT oC 电 流 I A 最大允许功耗 PCM W 电 阻 R Ω 热 阻 RT oC/W 功率器件的散热分析方法 导电回路和散热回路参数对照表 电——热模拟法,即用电路来模拟功率器件的散热回路。 Tj——集电结的结温 Tc ——功率管的壳温 Ts ——散热器温度 Ta ——环境温度 Rjc ——集电结到管壳的热阻 Rcs ——管壳至散热片的热阻 Rsa ——散热片至环境的热阻 散热等效热路 Tj Tc Ts Ta Rjc Rcs Rsa j c s a PCM 散热回路的总热阻为 最大允许功耗 T a j CM R T T P - = Tj Tc Ts Ta Rjc Rcs Rsa j c s a PCM 练 习 题 [例1] 乙类互补推挽功放电路如图所示。已知ui为正弦电压，RL=8W，要求最大输出功率为16W。假设功率管T1和T2特性对称，管子的饱和压降UCES = 0。试求： T1 T2 RL +VCC VCC _ _ + uo ui 正、负电源VCC的最小值； 当输出功率最大时，电源供给的功率； (3)当输出功率最大时的输入电压的有效值。 [解] (1) 由于电路的最大输出功率 所以电源电压 (2) 当输出功率最大时，电源供给的功率 T1 T2 RL +VCC VCC _ _ + uo ui VCC≥ (3) 因为输出功率最大时，输出电压的幅值为 所以输入电压的有效值为 T1 T2 RL +VCC VCC _ _ + uo ui R1 R2 RL T1 T2 5kW 250kW (18V) (- 18V) + uO +VCC - VCC iO1 uI A uO1 [例2] 在图示电路中，已知运放性能理想，其最大的输出电流、电压分别为15 mA和15 V。设晶体管T1和T2的性能完全相同，?=60，|UBE|=0.7 V。试问: (1) 该电路采用什么方法来减小交越失真? R1 R2 RL T1 T2 5kW 250kW (18V) (- 18V) + uO +VCC - VCC iO1 uI A uO1 (2) 如负载RL分别为20 W 、10 W时，其最大不失真输出功率分别为多大? 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 一. 功率放大电路的特点及分类 第9章 功率放大电路 二. 互补推挽功率放大电路 三. 功率器件与散热 一. 功率放大电路的特点及分类 1．