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电子技术 电工电子技术基础 6.1 半导体基本知识 6.2 半导体二极管 6.3 稳压二极管 6.4 发光二极管 6.5 半导体三极管 第六章 半导体二极管和三极管 第六章 半导体二极管和三极管 知识要点 PN结的导电特性 三极管的电流分配与放大作用 二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理 三极管的特性曲线 6.1 半导体基本知识 概述 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻) 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管等) （可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等） 6.1 半导体基本知识 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体 晶体中原子的排列方式 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 硅单晶中的共价健结构 Si Si Si Si 价电子 6.1 半导体基本知识 本征半导体 Si Si Si Si 自由电子 空穴 本征半导体的导电机理 本征激发:价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电） 6.1 半导体基本知识 本征半导体 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 : 自由电子作定向运动 ?电子电流 价电子递补空穴 ?空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高，载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。因此温度对半导体器件性能影响很大。 6.1 半导体基本知识 杂志半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），形成杂质半导体 Si Si Si Si p+ 磷原子 多余电子 掺入五价元素 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为N型半导体 多余电子在常温下即可变为自由电子 磷原子变为正离子 在N型半导体中自由电子是多数载流子 6.1 半导体基本知识 本征半导体 Si Si Si Si B– 硼原子 空穴 掺入三价元素 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为P型半导体 硼原子接受一个电子变为负离子 在N 型半导体中自由电子是多数载流子 6.1 半导体基本知识 PN结的形成 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － P 型半导体 N 型半导体 多子的扩散运动(浓度差) 少子的漂移运动 形成空间电荷区 内电场 无外加电压时，扩散和漂移这一对相反的运动处于动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变 6.1 半导体基本知识 PN结的单向导电性 1. PN 结加正向电压（正向偏置）——导通 PN 结变窄 外电场 IF 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – 内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 6.1 半导体基本知识 PN结的单向导电性 1. PN 结加反向电压（反向偏置）——截止 外电场 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － – + PN 结变宽 + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － IR 内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。 PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 6.2 半导体二极管 基本结构 ① 点接触型 结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。 ② 面接触型 结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。 (c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 金属触丝 阳极引线