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简介什么是场效应管 随着社会的发展，越来越多的电子产品应用了可控硅电源，并且场效应管站的比例比较大。那么什么是场效应管呢？ 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个p-n结,在零偏压的状态下,它是导通的, 如果在其栅极(g)和源极(s)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压) 在反向电场作用下p-n变厚(称耗尽区)沟道变窄。 其漏极电流将变小,反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道夹断。 此时,场效应管进入截止状态,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用vpo表示,它与栅极电压vgs和漏源电压vds之间可近以表示为vpo=vps+|vgs|,这里|vgs|是vgs 的绝对值. 在制造场效应管时,如果在栅极材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流。 也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管。 又称mos场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态。 绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管。 增强型场效应管特点:当vgs=0时 id(漏极电流)=0,只有当vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压vgs为开启电压。 好，以上内容就是关于可控硅电源场效应管的介绍。 * *
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