模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第一章.docVIP

第一章 思考题与习题解答 1-1 名词解释 半导体、载流子、空穴、自由电子、本征半导体、杂质半导体、N型半导体、P型半导体、PN结。 解 半导体——导电能力介乎于导体与绝缘体之间的一种物质。例如硅(Si)和锗(Ge)，这两种半导体材料经常用来做晶体管。 载流子——运载电流的粒子。在导体中的载流子就是自由电子；半导体中的载流子有两种，就是自由电子与空穴，它们都能参加导电。 空穴——硅和锗均为共价键结构，属于四价元素。最外层的四个电子与相邻原子最外层电子组成四个共价键，每一个共价键上均有两个价电子运动。当环境温度升高(加热或光照)时，价电子获得能量摆脱原子核与共价键对它的束缚进入自由空间成为自由电子，在原来的位置上就出现一个空位，称为空穴。空穴带正电，具有吸引相邻电子的能力，参加导电时只能沿着共价键作依次递补式的运动。 自由电子——位于自由空间，带负电，参加导电时，在自由空间作自由飞翔式的运动，这种载流子称为自由电子。 本征半导体——不掺任何杂质的半导体，也就是指纯净的半导体，称为本征半导体。 杂质半导体——掺入杂质的半导体称为杂质半导体。 N型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量五价元素(如磷P)，就形成含有大量电子的N型杂质半导体，又称电子型杂质半导体，简称N型半导体。 P型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量的三价元素(如硼B)，就形成含大量空穴的P型杂质半导体，又称空穴型杂质半导体，简称P型半导体。 PN结——将一块P型半导体与一块N型半导体放在一起，通过一定的工艺将它们有机地结合起来，在其交界面上形成一个结，称为PN结。 1-3 选择填空(只填a、b…以下类同) (1)在PN结不加外部电压时，扩散电流 漂移电流。(a.大于，b.小于，c.等于) (2)当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。(a1.大于，b1.小于，c1.等于)此时耗尽层。(a2.变宽，b2.变窄，c2.不变) (3)当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。(a1.大于，b1.小于，c1.等于)此时耗尽层。(a2.变宽，b2.变窄，c2.不变) 解 (1)c。(2)a1，b2。(3)b1，a2。 1-4 选择填空 (1)二极管电压从0.65 V增大10%，流过的电流增大 。(a.10%，b.大于10%，c.小于10%) (2)稳压管 (a1.是二极管，b1.不是二极管，c1.是特殊的二极管)，它工作在 状态。(a2.正向导通，b2.反向截止，c2.反向击穿) (3)NPN型和PNP型晶体管的区别是 。(a.由两种不同材料的硅和锗制成，b.掺入的杂质元素不同，c.P区和N区的位置不同) (4)场效应管是通过改变 (a1.栅极电流，b1.栅源电压，c1.漏源电压)来改变漏极电流的，因此是一个 (a2.电流，b2.电压)控制的 (a3.电流源，b3.电压源)。 (5)晶体管电流由 (a1.多子，b1.少子，c1.两种载流子)组成，而场效应管的电流由 (a2.多子，b2.少子，c2.两种载流子)组成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管 (a3.大，b3.小，c3.差不多)。 (6)晶体管工作在放大区时，b-e极间为 ，b-c极间为 ；工作在饱和区时，b-e极间为 ，b-c极间为 。(a.正向偏置，b.反向偏置，c.零偏置) 解 (1)b。(2)c1,c2。(3)c。(4)b1,b2,a3。(5)c1,a2,a3。(6)a,b;a,a与c。 1-5 回答下列问题 (1)为什么说在使用二极管时，应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压? (2)如何用万用表的“Ω”挡来辨别一只二极管的阳、阴两极?(提示：万用表的黑笔接表内直流电源的正极端，而红笔接负极端) (3)比较硅、锗两种二极管的性能。在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍? 解 (1)如果二极管的正向电流超过最大整流电流就会进入过流区，容易烧管；如果超过最高反向工作电压容易造成管子反向击穿。 (2)根据二极管的正向电阻小，反向电阻大的性质。先假设二极管的阴、阳两个端，测量其电阻，将黑笔接假设的阳极，红笔接假设的阴极，记录其阻值；再将黑、红笔交换位置，再测电阻，比较两次测得的阻值大小，若前者小于后者，说明假设的阴、阳两极是对的，否则相反。 (3)死区电压：硅管的大于锗管的；反向电流：硅管的小于锗管的；最高反向工作电压：硅管的高于锗管的；工作频率：锗管的高于硅管的。因为硅管的穿透电流ICEO比锗管的小得多，表现温度稳定性好，所以