模拟电子技术教程第2章习题答案.docVIP

PAGE PAGE 1 第2章 习题答案 1. 概念题： （1）常温下，N型半导体在导电时有空穴载流子参与吗？（ 有 ） P型半导体在导电时有电子载流子参与吗？（ 有 ） （2）在不加外电压时，PN结内部有没有电子的运动？（ 有 ） 将P极和N极相连并串接电流表会有电流指示吗？（ 无 ） （3）PN结加正向电压时空间电荷区将变宽吗（ 不是 ）P+N结加反向电压哪边将变得更宽（ N边 ） （4）作漂移运动的一定是少数载流子吗？（ 不一定 ）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的吗？（ 是 ） （5）拿2个二极管可否组成1个三极管？（ 不行 ）三极管可否当二极管用？（ 可以 ） （6）下列哪些元件为双极型器件？（A、B）哪些元件为单极型器件？（C、D） A. 二极管、稳压管 B.三极管 C. 结型场效应管 D. MOS管 （7）H参数等效模型适合（ A、C、D ）。 A. 中低频电路 B. 高频电路 C. 小信号输入 D. 交流分析 （8）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（ A、C ）。 A. 结型场效应管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （9）半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是 电子和空穴都参与导电 。 （10）二极管主要的特点是 单向导电性 ，确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 最大整流电流 和 最大反向电压 。 （11）在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V；锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 （12）某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 上升 。 （13）将3V和6V的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合，可得到 5 种有效的形式，等效稳压值分别为 3V、9V、3.7V、6.7V 、0.7 。 （14）PN结具有结电容效应，凡用PN结组成的电子元件，在 信号频率 较高时必须考虑这种效应。 （15）变容二极管在工作时也要加偏置电路吗？（ 需要 ）发光二极管在工作时要串联一个电阻，否则 会因电流过大而损坏 。 （16）三极管输出特性曲线中饱和区和放大区的分界线标志为 UCB=0 ，截止区和放大区的分界线标志为 IB=0或 IC=ICEO 。 （17）当三极管工作在放大区时，两个PN结的特征是 发射结正偏、集电结反偏 。 （18）耗尽型FET管输出特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线标志为 UGD=UGS(off) ，截止区和恒流区的分界线标志为 UGS= UGS(off) ；增强型FET管输出特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线标志为 UGD=UGS(th) ，截止区和恒流区的分界线标志为 UGS= UGS(th) 。 （19） 在 0 |UGS||UGS(off)|，|UGD||UGS(off)| 且二者同号的 前提下，JFET管或耗尽型MOS管工作在放大区。 （20）当N沟道增强型MOS管工作在放大区时，其外部管脚间的电压特征是 |UGS||UGS(th) ， |UGD||UGS(th)| 且二者同号 。 图2-64 习题2电路图2．如图2-64所示电阻分压式电路，输入电压ui为正弦信号，峰值为0～100V。要求输出uo为0～5V，输出阻抗小于1kΩ，分压精度优于1‰，请给出R1、R 图2-64 习题2电路图 解：根据输出阻抗要求，选R2=1kΩ，则R1=19kΩ；因功率为（0.707*50）2/20=62mW,故电阻功率选1/4W；有风压精度要求，选电阻的精度等级为0.05%。 图2-65 习题3电路图3． 如图2-65所示，电路输入ui为220 V、50Hz交流电压，断开电容C画出ui、uo对应波形；如果把C接入，请分析uo波形的变化，并说明对C有何作用？如何选择其何参数？ 图2-65 习题3电路图 解： 提示：断开C时，为单向整流； 接入C时为整流滤波电路， C的耐压大于250V （波形略） 图2-66 习题4电路图4．电路如图2-66所示，ui为127V、400Hz交流电压，画出ui和uo对应波形。并说明电感L有何作用？如何选择其参数？ 图2-66 习题4电路图 解： 该电路是半波