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《模拟电子技术》测试题六 一、填空题：（2８分，每空1分） 1、BJT是 控制器件，FET是 控制器件。 2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____； 若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。 3.简单的差分放大器双端输出时，对_______信号有较强的抑制能力，而对________信号有较强的放大作用。 4.差动放大电路两个输入端的电流分别是2v和3v，则共模信号是 v，差模信号 为 v。。 5、要获得低频信号，可选用 振荡器；要获得高频信号可选用 振荡器。 6、负反馈虽使放大电路的放大倍数_____了，但其他的性能得到了改善：_________、_____________、____________、____________。 7、射极输出器的重要特点是____________、_______________和___________。 8、场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻_____。源极输出电路的重要特点是______，____________和____________。 9、理想集成运放的条件是_________、_____________、___________、________和_________________。 二、选择题：（20分，每题2分） 1、PN结反向向偏置时，其内电场被（ ）。 A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定 2、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）。 A、发射极正偏，集电极正偏 B、发射极正偏，集电极反偏 C、发射极反偏，集电极反偏 D、发射极反偏，集电极正偏 3、PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（ ）。 a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本不变 4、稳压二极管是利用PN结的（ ）。 a：单向导电性 b：反向击穿性 c：电容特性 5、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为 a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA 6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。 A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 7、某NPN型三极管的输出特性如图所示，当Uce=6V时。其电流 放大系数β为（ ）。 A、β=100 B、β=50 C、β=150 D、β=25 8. 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（　　） 　a．集电极最大允许功耗ＰＣＭ　　　b．集电极最大允许电流ＩＣＭ c．集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ 9、右图为单相桥式整流滤波电路，U1为正旋波，其有效值为U1=20V，f=50HZ。若实际测得其输出电压为28.28V，这是由于（ ）的结果。 9题图a.开路 b.C的容量过小 9题图 c.C的容量过大 d.RL开路 10、在非线性失真中，饱和失真也称为（ ） a 顶部失真 b 底部失真 c 双向失真 三、判断题：（８分，每题１分） 1、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自 由电子。（ ） 2、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（　　）　 3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（　　） 4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（　　） 5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。（　　） 6、多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽（　　） 7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（　　） 8、要稳定放大电路工作点，可以引入交流负反馈。（　　） 四、判断下列各图中，哪些电路能进行正常的放大：（6分） 1． 2. VCCR1 VCC R1 R2 RL vi vo VCC RC RB