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第二章 重要术语解释： 雪崩击穿：电子和空穴穿越空间电荷区时，与空间电荷去内的电子发生碰撞 产生电子-空穴对，在pn 结内形成一股很大的反偏电流，这个过程就称为雪崩击 穿。 载流子注入：外加偏压时，pn 结体内的载流子穿过空间电荷区进入p 区或 者n 区的过程。 临界电场：发生击穿时，pn 结空间电荷去的最大电流密度。 扩散电容：正偏pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 扩散电导：正偏pn 结的低频小信号正弦电流与电压的比值。 扩散电阻：扩散电导的倒数。 正偏：p 区相对于n 区加正电压。此时结两侧的电势差要低于热平衡的值。 产生电流：pn 结空间电荷区内由于-空穴对热产生效应形成的反偏电流。 长二极管：电中性p 区与n 区的长度大于少子扩散长度的二极管。 复合电流：穿越空间电荷区时发生复合的电子与空穴所产生的正偏pn 结电 流。 反向饱和电流：pn 结体内的理想反向电流。 短二极管：电中性 p 区与n 区中至少有一个区的长度小于少子扩散长度的 pn 结二极管。 存储时间：当pn 结二极管由正偏变为反偏时，空间电荷区边缘的过剩少子 浓度由稳态值变成零所用的时间。 知识点： 学完本章后，读者应具备如下能力： 描述外加正偏电压的pn 结内电荷穿过空间电荷区流动的机制。 说出空间电荷区边缘少子浓度的边界条件。 推出pn 结内稳态少子浓度的表达式 推出理想pn 结的电流- 电压关系。 描述短二极管的特点。 描述什么是扩散电阻和电容。 描述pn 结内的产生和复合电流。 1 描述pn 结的雪崩击穿机制。 描述pn 结的关瞬态。 习题 1. (a)正偏工作的pn 结二极管，其环境温度为T=300K 。计算电流变为原来的 10 倍时，电压的改变。 (b)计算电流变为原来的100 倍时，电压的改变 2. 计算使pn 结理想反偏电流时反向饱和电流大小90%的反偏电流值，T=300K 。 3. T=300K 时，V =0.65V 时，硅pn 结二极管的电流I=10mA 。空间电荷区内电 D 2 子电流与总电流的比值为0.1，且最大电流密度不大于20A/cm .设计满足上 述条件的二极管。 + -6 4. 考虑T=300K 时的硅p n 结。其扩散内容-正偏电流曲线的斜率为2.5*10 F/A 。 确定空穴的寿命以及正偏电流为1mA 时的扩散电容值。 (a)解释为什么在反偏时扩散电容不重要。 (b)假如正偏下Si，Ge，GaAs pn 结的总电流密度相同，讨论电子与空穴电流 密度的相对值 2