第11章节 电力电子器件( 晶闸管跟其运用).pptVIP

电 子 技 术 晶闸管及其应用 第11章 晶闸管及其应用 11.1 晶闸管 11.1.1 可控硅的结构及工作原理 1. 结构及符号 2. 工作原理 11.1.2 晶闸管的伏安特性和主要参数 1. 伏安特性 11.2 可控整流电路 11.2.1 单相半波可控整流 1. 电阻性负载 2）工作原理 5）晶闸管的选择 电流的选择 电感性负载（加续流二极管） 1）电路及工作原理 11.2.4 三相桥式半控整流电路 11.3 触发电路 11.3.1 单结晶体管结构及工作原理 1. 结构 2. 工作原理 11.3.2 单结晶体管触发电路 1. 振荡电路 2. 振荡过程分析 11.3.3 单结管触发的可控整流电路 1. 电路 2、工作原理 11.4 晶闸管的保护 11.4.1 晶闸管的 过压保护 1、阻容保护 2. 非线性电阻保护 11.4.2 晶闸管的过流保护 1. 快速熔断器保护 2. 过流继电器保护 3. 过流截止保护 11.5 应用举例 1. 电瓶充电机电路 工作原理 交流调压电路 20.2.2 单相半控桥式整流电路 1. 电路 2. 工作原理 u2 (A) VT1 RL u2 (B) VD2 + – T1、T2 --晶闸管 D1、D2 --晶体管 T1 T2 D1 D2 RL uo u A B + – u 0 ： 给T1控制极加触发电压后电流的通路： 前一页 后一页 返回 u2 (B) u2 (A) 动画 VT2 RL VD1 前一页 后一页 T1、T2 --晶闸管 D1、D2 --晶体管 A B T1 T2 D1 D2 RL uo u + - + – u 0 时，给 T2控制极加触发电 压后电流的通路： 返回 2）工作波形 ? t u2 ? t uG ? t uL ? t uT1 前一页 后一页 返回 3）输出电压及电流的平均值 前一页 后一页 返回 两种常用可控整流电路 电路 特点 该电路只用一只晶闸管，且其 上无反向电压。 晶闸管和负载上的电流相同。 前一页 后一页 1） u T D2 D1 D4 u0 RL D3 + - + - 返回 电路 特点 该电路接入电感性负载时，VD1、VD2 便起续流二极管作用。 由于VT1的阳极和VT2的阴极相连，两 管控制极必须加独立的触发信号。 2） 前一页 后一页 20.2.3 三相半波可控整流电路 动画 T1 T2 D1 D2 u u0 R L + - + - 返回 前一页 后一页 2. 工作原理 1. 电路 动画 0 u2a 2? ? u2b u2c u t1 t2 T T1 RL u0 D3 T2 T3 D2 D1 i0 0 c b a u2 + - + – 返回 管内基极 体电阻 E B2 B1 RB2 RB1 等效电路 E （发射极） B2 （第二基极） B1 （第一基极） P N PN结 内部结构 欧姆接触 前一页 后一页 返回 UA UE UA+UD = UP 时 PN结反偏，IE很小； uE ? UP时 PN结正向导通, IE迅速增加。 ? ? – 分压比 ( 0.3~ 0.9 ) UP – 峰点电压 UD – PN结正向 导通压降 B2 RB1 RB2 B1 A UB B E UE 前一页 后一页 返回 3. 单结晶体管的伏安特性 UV、IV(谷点电压、电流): 维持单结管导通的最小 电压、电流。 UP(峰点电压)： 单结管由截止变导通 所需发射极电压。 UP 峰点电压 IF IV UV 谷点电压 V 负阻区：UEUP后， 大量空穴注入基区， 致使IE增加、UE反 而下降，出现负阻。 IE 0 UE 前一页 后一页 返回 单结管符号 B2 E B1 UEUP时单结管截止； UEUP时单结管导通， UEUV时恢复截止。 小结 单结管特性 前一页 后一页 返回 R R2 R1 C U uc uO E B1 利用单结管的负阻特性及RC电路的充放电特性组成频率可调的振荡电路 前一页 后一页 返回 uE = uC UP 时，单结管不导通，uo ? 0。 此时R1上的电流很小，其值为： R1、R2外加电阻，不同于内部的RB1、RB2。前者一般取几十欧~几百欧； RB1+RB2一般为2~15千欧。 uO R2 R1 R C U uc E IR1 前一页 后一页 返回 随电容的充电，uc逐渐升高。 uc Up Uv uo Up-UD uO R2 R1 R C U uc E 当 uC ? UP 时，单结管导通。 电容C放电，R1上得到一个脉冲电压。 电容放电至 uc