二极管及三极管.ppt

参考： 1.秦增煌《电工学 电子技术》 1.1.2 N型半导体和P型半导体 杂质半导体的示意表示法 1.2 PN 结 1.2.1 PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 1.3 二极管 1.3.1 基本结构 1.3.2 伏安特性 1.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 1.4 稳压二极管 3. 主要参数 1.5 半导体三极管 1.5.1 基本结构 1.5.2 电流放大原理 2. 各电极电流关系及电流放大作用 例2： 测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值V1、V2、V3，判断管子的类型、材料及三个极。 作业： P21 1-2 1-5 1-9 下周交作业，作业本右上角写上学号（1.2.3…） B E C N N P 基极 发射极 集电极 后一页 前一页 集电区：面积最大 基区：最薄，掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 返回 符号： B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 后一页 前一页 返回 B E C N N P EB RB EC RC 1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 PNP VBVE VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 后一页 前一页 返回 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.001 0.50 1.00 1.70 2.50 3.30 0.001 0.51 1.02 1.73 2.54 3.35 结论 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ? IE ， IC ?? IB 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 后一页 前一页 返回 3. 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 IBE 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 ICE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 后一页 前一页 返回 3. 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IC IB IC=ICE+ICBO?ICE 后一页 前一页 IB=IBE-ICBO?IBE 返回 ICE 与IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流 温度? ? ICEO? 常用公式 后一页 前一页 返回 输入回路 输出回路 EB IC mA ?A V UCE UBE RB IB EC V 共发射极电路 ? 后一页 前一页 返回 1.5.3 特性曲线 1. 输入特性曲线 2. 输出特性曲线 1. 输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.2V。 工作压降： 硅UBE ? 0.6~0.7V, 锗UBE ? 0.2~0.3V。 后一页 前一页 返回 2. 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当UCE 大于一定的数值时，IC只与IB有关，即IC=?IB。 后一页 前一页 此区域满足IC=?IB 称为线性区（放大区），具有恒流特性。 返回 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A UCE?UBE,集电结正偏，?IB?IC，称为饱和区。 深度饱和时硅管UCES?0.3V 此区域中IC受UCE的影响较大 后一页 前一页 返回 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中: IB= 0,IC =ICEO, UBE 死区电压，称为截止区。 后一页 前一页 跳转 为可靠截止，常取发射结零偏压或反偏压。 返回 输出特性三个区域的特点： 1）放大区(线性区，具有恒流特性)放大状态 IC =?IB ，发射结正偏、集电结反偏。