电力电子技术课件4.pptVIP

* * 第五节 其它新型电力电子器件 电力晶体管GTR 可关断晶闸管GTO 功率场效应晶体管MOSFET 绝缘栅双极晶体管IGBT 静电感应晶体管SIT 静电感应晶闸管SITH MOS晶闸管MCT MOS晶体管MGT 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 1、电力晶体管GTR（巨型晶体管） 内部结构 图形符号 NPN型晶体管的结构图和图形表示符号 三端三层器件，有两个PN结，分NPN型和PNP型。 采用三重扩散台面型结构制成单管形式。结面积大、电流分布均匀，易散热；但电流增益低。 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 1、电力晶体管GTR（巨型晶体管） GTR的开关电路 +Ub -Ub C B E +Ucc 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 1、电力晶体管GTR（巨型晶体管） 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 1、电力晶体管GTR（巨型晶体管） GTR的开关过程中的电流波形 ton=td+tr 开通时间 关断时间 toff=ts+tf td 延迟时间 tr 上升时间 ts 存储时间 tf 下降时间 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 1、电力晶体管GTR（巨型晶体管） 1、电压参数 UCBOUCEXUCESUCERUCEO 2、电流参数 集电极最大允许电流ICM 3、功耗参数 集电极最大耗散功率PCM；导通损耗PON；开关损耗PSW；二次击穿功耗PSB。 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 1、电力晶体管GTR（巨型晶体管） GTR的安全工作区 最高工作电压 集电极最大允许电流 最大耗散功率 二次击穿功耗 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 2、可关断晶闸管GTO A K G 耐压高、电流大 有自关断能力 频率高 可用门极正向触发信号使管子导通，又可向门极加负向触发信号使晶闸管关断。 四层三端器件。（与普通晶闸管同） 内部包含了数十至数百个共阳极的GTO元。 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 2、可关断晶闸管GTO 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 2、可关断晶闸管GTO EA A G K EG R IA IC1 IC2 P1N1P2 N1P2N2 V1 V2 IG IK GTO关断过程等效电路 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 2、可关断晶闸管GTO GTO开通和关断电流波形 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 2、可关断晶闸管GTO 1、最大可关断阳极电流IATO 2、电流关断增益 3、维持电流IH和擎住电流IL 4、开通时间和关断时间 5、断态重复峰值电压UDRM、断态不重复峰值电压UDSM、反向重复峰值电压URRM、反向不重复峰值电压URSM。 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 3、静电感应晶闸管SITH P+ P+ P+ P+ P+ N+ N+ P+ N N+ 树脂 门极 阳极 阴极 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 3、静电感应晶闸管SITH A K G A K G A K 一、双极型器件----GTO、GTR、SITH 3、静电感应晶闸管SITH 开关速度快，工作频率高 正向压降低 di/dt耐量高 工作结温高 二、单极型器件----MOSFET、SIT 1、功率场效应晶体管 二、单极型器件----MOSFET、SIT 1、功率场效应晶体管 二、单极型器件----MOSFET、SIT 1、功率场效应晶体管 二、单极型器件----MOSFET、SIT 1、功率场效应晶体管 二、单极型器件----MOSFET、SIT 1、功率场效应晶体管 开启电压UT 跨导Gfs td(on) tr td(off) tf 漏极电压UDS 漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM 栅源电压UGS 开通时间ton和关断时间toff 极间电容 二、单极型器件----MOSFET、SIT 2、静电感应晶体管SIT