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P N N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID UDS增加，UGD= VGS(th)时，靠近D端的沟道被夹断，称为预夹断。 converteam 作者：周宇 2. 功率场效应晶体管的工作原理 当栅源极电压UGS＝0时，漏极下的P型区表面不出现反型层，无法沟通漏源。此时即使在漏源之间施加电压也不会形成P区内载流子的移动，即VMOS管保持关断状态。 当栅源极电压UGS＞0且不够充分时，栅极下面的P型区表面呈现耗尽状态，还是无法沟通漏源，此时VMOS管仍保持关断状态。 当栅源极电压UGS或超过强反型条件时，栅极下面的硅的表面从P型反型成N型，形成N型表面层并把源区和漏区联系起来,从而把漏源沟通，使VMOS管进入导通状态。 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 可变电阻区 夹断区 恒流区 D S B G N 沟道增强型场效应管 NPN 型三极管 e c b G------- b D------- c S------- e 与 NPN 三极管相似， NMOS管为电压控制器件，当 vGSVGS(th) N,MOS 管导通（正电压控制）。 converteam 作者：周宇 1.6 绝缘栅双极型晶体管 绝缘栅双极型晶体管IGBT是80年代中期问世的一种新型复合电力电子器件，由于它兼有MOSFET的快速响应、高输入阻抗和BJT的低通态压降、高电流密度的特性，这几年发展十分迅速。目前，IGBT的容量水平达(1200～1600A)/(1800～3330V),工作频率达40kHz以上。 converteam 作者：周宇 1.6.1 结构和工作原理 1. 绝缘栅双极型晶体管的结构 IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区BJT。从图中我们还可以看到在集电极和发射极之间存在着一个寄生晶闸管，寄生晶闸管有擎住作用。采用空穴旁路结构并使发射区宽度微细化后可基本上克服寄生晶闸管的擎住作用。IGBT的低掺杂N漂移区较宽，因此可以阻断很高的反向电压。 converteam 作者：周宇 IGBT的结构、符号及等效电路 converteam 作者：周宇 2. 绝缘栅双极型晶体管的工作原理 当UDS＜0时，J3PN结处于反偏状态，IGBT呈反向阻断状态。 当UDS＞0时，分两种情况： ① 若门极电压UG＜开启电压UT，IGBT呈正向阻断状态。 ② 若门极电压UG＞开启电压UT，IGBT正向导通。 §1.3 双极型晶体管 一、晶体管的结构和类型 NPN型 基区 发射区 集电区 发射结 集电结 发射极 基极 集电极 b e c 发射极箭头的方向 为电流的方向 converteam 作者：周宇 b P N P 集电极 基极 发射极 c e PNP型 converteam 作者：周宇 converteam 作者：周宇 双极型功率晶体管BJT的容量水平已达1.8kV／lkA，频率为20kHz。 converteam 作者：周宇 双极型功率晶体管的工作原理 以NPN型双极型功率晶体管为例，若外电路电源使UBC0,则集电结的PN结处于反偏状态；UBE0,则发射结的PN结处于正偏状态。此时晶体管内部的电流分布为： (1) 由于UBC0,集电结处于反偏状态，形成反向饱和电流ICBO从N区流向P区。 (2) 由于UBE0,发射结处于正偏状态，P区的多数载流子空穴不断地向N区扩散形成空穴电流IPE,N区的多数载流子电子不断地向P区扩散形成电子电流INE。 converteam 作者：周宇 单个BJT电流增益较低，驱动时需要较大的驱动电流，由于单级高压晶体管的电流增益仅为10左右，为了提高电流增益，常采用达林顿结构，如每级有10倍的增益，则3级达林顿结构的电流增益可达1000左右。 converteam 作者：周宇 BJT的开关特性 在开关工作方式下，用一定的正向基极电流IB1去驱动BJT导通，而用另一反向基极电流IB2迫使BJT关断，由于BJT不是理想开关，故在开关过程中总存在着一定的延时和存储时间。 converteam 作者：周宇 BJT的开关响应特性 二、 晶体管的电流放大作用 放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能够控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真的放大输出，放大的对象是变化量。 晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。 共射放大电路 converteam 作者：周宇 1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE 2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB 3