(研究生)集成电路工艺技术教案编写 .ppt

(VLSI)大规模集成电路制造技术 ;目录 绪论 第一章 衬底制备 第二章 外延 第三章 氧化 第四章 光刻 第五章 制版 第六章 扩散 第七章 隔离 第八章 电极制备及封装 ;绪 论;集成电路芯片设计过程框架;二、集成电路技术的发展 早在第二次世界大战期间，在陶瓷基片上制成的电阻阵列应是第一次集成化电路。 1948年，晶体管的发明产生了一次质的飞跃。此后不久，就出现了锗集成电路。 ; 集成电路是在平面晶体管发明以后，伴随着其它技术的发展才真正地发展起来。第一个有重要意义的突破是在硅片上热生长具有优良电绝缘性能、又能掩蔽杂质扩散的二氧化硅层。 ;50年代中期以后，又将印刷照相业中的光刻技术和透镜制造业中的薄膜蒸发技术引进到半导体工业中来，它们和扩散、外延等技术相结合，奠定了一整套集成电路制造工艺技术。50年代后期，集成电路的主要技术已基本形成。 ;1958年，制成了第一只单片集成电路。与以往电子装备相比，在缩小体积，降低成本，提高可靠性，降低功耗，提高速度，提高集成度等方面都体现了巨大的优越性。此后20年，集成电路进入“黄金”时期，发展速度惊人。集成度几乎每年翻一翻。 Moore定律;3.大规模集成电路（LSI）：集成度1000个元件或100个逻辑门以上，70年代。 4.超大规模集成电路（VLSI）：集成度10