硅基薄膜的结构与光学性质-理论物理专业论文.docx

硅基薄膜的结构与光学性质摘要 硅基薄膜的结构与光学性质 摘要 光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一，光电子集成器件 在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟， 所以从工艺兼容性考虑，用硅基材料作为发光器件将是最佳的选择。 本论文采用射频磁控溅射方法制备了s．-si0。薄膜、Ge-Si0。薄 膜以及相应的掺AI的S__si0：薄膜和Ge-Si0：薄膜，采用XPS、XRD、 FTIR、TEM对薄膜的结构和组分进行了表征。 测量了样品的光吸收谱，结合样品的结构对光吸收特性进行深 入的研究。我们发现Ge-S i O。薄膜由于量子限域等原因观察到较强的 光吸收和光吸收随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象。采用量子限域模 型所作的纳米Ge颗粒中电子能隙的理论计算值大干实验值，且在小 尺寸情况下偏离很大，而用介电限域模型的计算结果小于实验值， 但在小尺寸情况下，这种差异没有明显变化。结果表明，在这种体 系中量子限域效应与介电效应同时存在，并给出了相应的分析讨论。 对于s．-si0。、。AI-Ge-Si0：和A卜s卜S10：非晶薄膜，其吸收边 与块状Si晶体的吸收边相比也发生了不同程度的蓝移，通过与 Ge-Si0。薄膜的吸收曲线及光学带隙的对比，可估计其能隙在 1．5-2．8eV之间，这可能是由于样品内存在大量的缺陷或杂质，以及 广西大学硕士论文极少量的si颗粒团蔟受到的限域效应造成了样品能隙的展宽和吸收 广西大学硕士论文 极少量的si颗粒团蔟受到的限域效应造成了样品能隙的展宽和吸收 边的蓝移。 测量了它们室温下的光致发光谱(PL)，结合光致发光激发谱 (PLE)和薄膜结构以及退火对发光峰位影响方面的分析，认为光发 射均是通过薄膜基质中的发光中心实现的，有的发光也与类似纳米 颗粒的原子团簇有关。掺Al的薄膜样品发光比其他未掺Al样品均 强，而发光峰位没有明显变化，一方面说明掺入适量的金属(如AI) 可以提高其发光强度：另一方面说明Al的掺入没有改变薄膜中的发 光中心结构。 关键词：结构光吸收量子限域效应介电限域效应光致发光 发光中心 广西大学磺士论文STRUCTURE 广西大学磺士论文 STRUCTURE AND 0册CAL PROPERTIES OF Si．BASED FILMS ABSTRACT Since the observation of strong photoluminescenee(PL)of porous silicon，a great interest in nanoerystalline silicon(nc-si)has been stimulated because of its potential applications light-emitting devices compatible with silicon—based optoelectronie integrated circuits． Scientists have spent many years changing the light-emitting characteristics of Si-based materials and improving the light-emitting efficiency to several orders larger than that of Si． The properties of luminescence from Si—Si02、Ge-Si02、 Al—Si—Si02、 AI—Ge-Si02 thin films and the mechanisms of light emission have been studied．Films were deposited P—Si substrates by radio frequency magnetron sputtering technique with Si-Si02 Ge-Si02 composite target some pieces of A1 wafers the target． Some films were annealed in N2 ambience for 30 minutes at different temperature．The microstructure of films were characterized by XRD、 XPS、FTIR、TEM spectra． From the optical absorption spectra，the absorption edges of films 广西大学硕士论文clearly 广西大学硕士论文 clearly exhibited bl