第9章 刻蚀教案编写 .pptVIP

9.7.1 等离子体去胶 等离子体损伤 在去胶工艺中值得关注的一点是由于离子轰击和硅片充电所带来的对硅片上器件的等离子体损伤。当栅氧化层变薄时，由于薄栅氧对等离子体退化的敏感，这种关注就更为重要。等离子体对硅片造成的损伤已大大被采用顺流去胶机补救了，顺流去胶机把硅片放在远离带来损伤的等离子体离子的地方，只允许化学反应基到达硅片表面。在顺流系统中通常使用微波（2.45GHz）频率来产生等离子体。这是因为微波辉光放电能产生更多的原子氧反应基和少量的离子。这就能减少离子诱导损伤。 9.7.1 等离子体去胶 去除残留物 标准的去胶工艺已发展到包括用过刻蚀来去除残留物，如侧壁聚合物和通孔覆盖物。这些残留物是复杂的，可能包含有等离子体刻蚀和去胶的副产物，如铝、钛、氧化硅和硅。一个复杂的因素是去胶可能要在一个高温环境下进行（如200℃），这将使残留物变硬而难以去除。如果去不掉，残留物就是一种能增加硅片表面缺陷密度的颗粒和污染物源。为了完全去除刻蚀残留物，特别是无机残留物（如氧化硅、金属氧化物、铝等），一些去胶机用可选择的化学气体来代替氧气，如NO或N2O。另外一些去胶机以加入CF4或NF3的形式在化学气体中引入少量的氟来更有效地去除包含氧化硅和硅在内的残留物，使其更易于溶于水。在去胶工艺之后，典型做法是用去离子水进行清洗以去除硅片表面上残留的颗粒。在某些情况下，用强硫酸（H2