浮栅ROM与SRAM辐射效应比较分析.PDFVIP

浮栅 ROM 与 SRAM 的辐射效应比较分析 1,2 贺朝会 ，耿斌，杨海亮，陈晓华，李国政，王燕萍 1 西安交通大学 西安市咸宁西路 28 号 710049 2 西北核技术研究所 西安 69 信箱 13 分箱 710024 hechaohui@ 中文摘要：比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和 γ 辐射效应的异同，分析了其不同的 原因。和SRAM相比，浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5 个量级；31.9MeV质子注 量阈值高 4 个量级；总剂量损伤阈值相差不大，都在 104 rad(Si)量级左右。这些都是由二 者存储单元的结构和辐射效应机制决定的。在空间辐射环境中，不需经常擦写数据的情况下， 应该选用浮栅ROM器件。 关键词：FLASH ROM ；EEPROM ；SRAM；单粒子效应；总剂量效应 1 引言 静态随机存取存储器（SRAM）和可擦除可电编程只读存储器（EPROM）是航天器电子系 统中的主要存储载体。新型浮栅ROM器件（主要是FLASH ROM 和EEPROM）在单一的工作电压 下，就可以完成读出、擦除和写入功能，克服了EPROM的不足；而且和SRAM相比，其存储的 数据是非易失性的，即使掉电，也不会丢失数据。因此，浮栅ROM器件已开始替代EPROM应用 [1-3] 于航天器的电子系统中，其辐射效应研究为一个新热点 。 空间辐射可以引起半导体器件发生单粒子效应和总剂量效应等，已严重影响航天器的可 靠性和寿命。国外开展了浮栅ROM器件的重离子单粒子效应[1-3]、总剂量和剂量率效应[2-4]实 验研究，未见关于浮栅ROM器件的质子和中子辐射效应方面的报道；国内只有我们开展了这 方面的研究[5]。我们的研究结果表明SRAM的质子和中子辐射效应是单粒子效应。然而，浮栅 ROM器件的 14MeV中子和 31.9MeV质子的辐射效应不是单粒子效应，而是一种总剂量效应。本 文试图对浮栅ROM器件和SRAM的辐射效应作一比较，并分析其不同的原因。 2 浮栅 ROM 和 SRAM 辐射效应比较 2.1 中子辐射效应 8 -2 -1 在注量率为 10 cm s 量级的 14MeV中子辐照下， SRAM立即出现数据错误，无中子注量 阈值。不管是 4M位还是 256K，出现的错误数多还是少，随着中子注量的增加，错误数基本 线性增加，如图 1(a)所示。同时出现“1”→ “0”错误和“0”→ “1”错误，二者错误数 相差不大，无不确定错误。所有器件的出错规律都相同，只是翻转截面有所不同。这是典型 的单粒子效应。 然而，浮栅ROM器件的中子辐射效应并非如此。错误出现不是随机的，存在中子注量阈 值。中子注量小于阈值时，无错误；大于阈值时才出现错误。图 1(b)为动态监测的29C256 13 -2 # 和 28C256 的出错数随中子注量变化的关系曲线。当中子注量为 5.501×10 cm 时，107 - 1 - 13 -2 28C256 出现 “0”→ “1”错误；5.747×10 cm 时，出现 “1”→ “0”错误。当中子注量为 13 -2 # 5.832×10 cm 时，105 29C256 开始出错。随着中子注量的增加，错误数在增加。中子注量 积累到一定程度，错误数雪崩似地增加。