ZnO基pn结及其紫外发光性能的深入研究.pptVIP

二次离子质谱: 图(b)是图(a)所示样品在800oC又退火1小时后的情形。薄膜厚度为1.5微米，但Zn和O的平衡已被打破。在厚度小于0.1微米时，是ZnO, a-SiO2和Zn2SiO4共存；当厚度大于0.1微米时，主要是a-SiO2和Zn2SiO4共存。 100 101 102 103 104 105 106 DSIMS Counts (c/s) O Si P Zn (b) 0.0 0.1 0.2 0.3 Depth (μm) 经800oC、1小时退火薄膜中各种化合物的含量比 在 X-rayα-2θ掠入射扫描模式中, 薄膜厚度 T 可通过下式计算： 其中α 为掠入射角；a, b和 c分别为ZnO, Zn2SiO4和SiO2在薄膜中的百分含量；μZnO = 2.38×10-5 nm-1 , μZn2SiO4 = 2.68×10-5 nm-1 和 μSiO2 = 0.77×10-5 nm-1 分别是 ZnO, Zn2SiO4 和 SiO2 线性吸收系数。根据实验数据， α为0.7度时，薄膜厚为1.4微米。以下用数值法求解： 当 a = 1 , b = c = 0 时： T = 46.9 nm 140 nm; 当 a = b = 0.5, c = 0 时： T = 52.3 nm 140 nm; 当 a = c = 0 , b = 1 时： T = 59.2 nm 140 nm; 即当SiO2含量为0（c=0）时，计算的薄膜厚度极大值为59.2 纳米，因此薄膜中必存在 SiO2 。与实验最接近的计算值是： a = 0.1, b = 0.05 和 c = 0.85 时： T = 140.4 nm 即 ZnO, Zn2SiO4和SiO2 的在经800oC退火1小时的薄膜中 的百分含量分别为 10％，5％ 和 85%. 结论与研究展望： 1）生长和退火时的高温可导致薄膜和硅衬底之间大量的原子扩散，并产生新的化合物 Zn2SiO4和a-SiO2； 2）目前通用的将衬底贴在热源上的加热生长方式尤易促成衬底原子向薄膜中大量扩散，建议采用前置光照或热丝加热；若无法做到，则应降低生长温度在300度以下；退火温度在750度以下，时间不能超过半小时。 3）若生长ZnO p-n结，应首先在衬底表面采用急速退火生成一层3～5nm SiO2晶体，可有效防止衬底和薄膜之间的互扩散。P-ZnO 和 n-ZnO之间也需生长 1nm SiO2晶体薄层－这对于生长高质量的突变型结非常重要。 结论与研究展望： 5)目前的通过在富氧环境中生成的 ZnO p-n 结还未能实现注入式激光发射，原因是受主反位锌能级位置较高，因此量子效率低下，不能实用。 6)目前的通过衬底向其上方薄膜热扩散磷或砷制备p型ZnO的方法存在扩散不均匀、易生成缓变结的缺点。建议采用外扩散法：即在密闭的环境中维持一定的磷或砷气压，向薄膜内的扩散。 由于磷或砷受主能级比反位锌较浅，此法制备的p-ZnO具备更高的量子效率，可望用于ZnO电注入式激光二极管的制备。 谢 谢！ Thank you ! ZnO基p-n结及其紫外发光性能的研究 报 告 人： 许小亮 工作单位: 中国科学技术大学物理系 E - mail: xlxu@ustc.edu.cn 电 话: 0551 - 3607574 大学物理研究型实验网上教学材料 目 录 1．引 言: ZnO薄膜的紫外激光研究综述 v ZnO薄膜材料简介，特点和用途 v ZnO基p-n结研究的几个方面之比较 2. 本课题研究内容 v理论基础：ZnO薄膜中的缺陷及其对制备p-ZnO的影响分析 v p 型和n型ZnO薄膜的光学和结构特性 v热处理温度和方式对ZnO薄膜 和ZnO p-n 结质量的影响 v研究展望 3. 成果小结 ZnO材料简介，特点和用途 第三代宽禁带光电功能材料的代表之一 ZnSe(1990),SiC(1992),GaN(1994),ZnO(1996) （特点：禁带宽度(eV)＝1240 / 激光波长(nm),反比关系） 1. ZnO是宽禁带: 3.37eV、高束缚激子能 60 meV，大于室温的热离化能 26 meV，因此 与其它几种宽禁带发光材料如ZnSe(束缚激子能22 meV), ZnS(40 meV)和GaN (25 meV)相比, ZnO是一种合适的用于室温或更高温度下的紫外激光材料 2. 生长成本较低 ZnO 同质p-n结研究的几个方面之比较 （i） 半导体发光的几种激发方式(PL,CL,EL) (ii) p型半导体，n型半导体，p-n结 （iii）同质p-n结