埋氧层应力对微悬壁梁加工断裂的影响机理研究-测试计量技术及仪器专业毕业论文.docxVIP

摘要摘要 摘要 摘要 最近几年以来，基于S01硅片的微纳加工技术——尤其在高灵敏度微悬臂梁 传感器制作领域，已经得到了越来越多的研究。为了在SOI片上获得更长更薄的 悬臂梁结构，体硅层的刻蚀工艺在悬臂梁制作时的背面释放过程中就显得极为重 要。但由于埋氧层(BOX)中内部压应力存在，大宽厚比的悬臂梁又具有极弱的结 构特点，这致使悬臂粱在释放工艺步骤中产率较低。本文中针对于MRFM磁共 振力显微镜中的关键器件微悬臂梁进行研究，测量单电子白旋力的能力使其对悬 臂梁的灵敏度提出了很高的要求。其中微悬臂梁的长度要求大于300pm，厚度要 求低于19m，而宽度为109m。 为了定量地分析埋氧层应力在弱结构的悬臂梁制作工艺中起到影响作用，验 证图形化工艺对内部压应力的释放效果，需要首先分析获得埋氧层应力产生的来 源，探究其破坏作用规律和图形化工艺释放应力规律后，根据研究所得规律优化 基于SOI的微悬臂梁制作方案，最终探索埋氧层应力对其他传感器制作的影响。 研究工作主要采取使用理论分析和有限元模拟仿真两种研究手段，主要进行 了以下几个方面的工作： (1)对微悬臂梁加工中埋氧层破裂机理进行了分析，包括对原有工艺流程 中破裂过程的分析、埋氧层应力作用的方式和脆性材料的拉伸断裂机理，并将其 应用于本论文研究的背景下。简述了对埋氧层图形化工艺的思路和其整体流程的 分析，探讨其中应力作用的影响变化方式，针对解决应力效应的加工技术进行了 阐述。 (2)研究了埋氧层应力产生的来源。考虑不同SOl硅晶片的制作方法和其 内应力产生因素，由硅材料的非均匀氧化理论出发，研究埋氧层内应力：分析影 响内应力的影响因素，以此得到其内应力的表达方式和在不同条件下的数值理论 模型。 (3)讨论了内应力在不同条件的影响因素下，建立的数值理论模型的情况。 在不同的退火温度、顶层硅的剥离速度及SOI圆片尺寸的影响因素下，所得的 SOI材料及最终的悬臂梁模型的内应力大小均有符合理论的变化情况。 (4)使用有限元仿真手段，建立了埋氧层内应力的仿真模型。设计了悬臂 梁模型，针对背面湿法刻蚀体硅层剩余厚度的截止参数工艺进行建模分析。用以 印证埋氧层应力在悬臂梁制作工艺中的断裂影响机理。根据脆性材料断裂理论和 仿真数据的处理，进行了体硅层厚度优化设计和埋氧层图形化工艺优化设计。最 后根据埋氧层应力模型所得仿真结果，优化了基于SOI的微悬臂梁制作方案，设 计对照验证实验。 l 万方数据 摘要本文全面展示了SOI埋氧层内应力对悬臂梁结构制备时的影响机理，这在基 摘要 本文全面展示了SOI埋氧层内应力对悬臂梁结构制备时的影响机理，这在基 于SOl硅片生产的微型传感器的领域中起到重要的作用。本文所述的内应力影响 机理分析方式也将有助于提出针对应力破坏效应的新工艺方式，以减少生产各类 微纳米器件时由内应力引起的副作用。 关键词：微纳加工技术微悬臂梁埋氧层内应力氧化应力分析ANSYS仿真 万方数据 AbstractAbstract Abstract Abstract In recent years，the micro-nano processing technology based on S01 wafers， especially in the field of hi【gh sensitivity micro cantilever sensor fabrication，has been payed more and more concern．In order to get longer and thinner cantilever beam structure with S01 wafers，bulk silicon etching process during the back releasing in the fabrication of cantilever beam becomes extremely important．But due to the existence of internal compressed stress in the buried oxide layer(BOX)，the floppy cantilever beam with high aspect ratio of vertical section is very fragile，which causes the cantilever beams’breakage during the back releasing technique．This research focused on the key device in the MRFM，micro cantilever,which have a great se