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半导体基础知识 半导体材料 半导体材料大多数是晶体材料。 单晶 材料中原子全部都有规则的周期性排列的晶体。 多晶 只在很小范围内原子有规则的排列，形成小晶粒，而晶粒之间有无规则排列的晶粒界隔开。 电子的能级分布 能级（Energy Level）原子核外的电子按照一定的壳层排列，每一壳层容纳一定数量的电子。每个壳层上的电子具有确定的分立能量值，也就是电子按能级分布。在电子能级图上用高低不同的水平线表示电子的能级。 电子的共有化运动 电子的共有化运动：晶体中大量的原子集合在一起，（Si：0.235nm,5×1022个/cm2），使离原子核较远的壳层发生交叠，这种现象称为电子的共有化。 能带的形成 禁带、价带与导带 禁带（Forbidden Band）：允许被电子占据的能带称为允许带，允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。 价带（Valence Band）：原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。 导带（Conduction Band）：价带以上能量最低的允许带称为导带。 本征半导体能带图 共价键上电子所受束缚力较小，它会因为受到热激发而跃过禁带，去占据价带上面的能带，电子从价带跃迁到导带后，导带中的电子称为自由电子，价带中电子跃迁到导带后，价带中出现电子的空缺称为自由空穴。导电的自由电子和自由空穴统称为载流子。 n 型半导体能带图 在四价原子锗(Ge)或硅(Si)组成的晶体中掺入五价原子砷（As）或磷（P），在晶格中某个硅原子被砷原子所替代。砷用四个价电子与周围的硅原子组成共价键，尚有一个电子多余，这个多余电子受原子的束缚力要比共价键上电子所受束缚力小得多，它很容易被砷原子释放，跃迁到导带而形成自由电子。 p 型半导体能带图 在四价硅晶体中掺入三价原子硼（B），晶体中某硅原子被硼原子所替代，硼原子的三个价电子和周围硅原子和四个价电子要组成共价健，形成八个电子的稳定结构尚缺一个电子，于是它很容易从硅晶体中获取一个电子形成稳定结构。这样就使硼变成负离子而在硅晶体中出现自由空穴。 各类半导体能带图 热平衡态下的载流子 若没有外界作用，半导体中的自由电子和空穴是由热激发产生的。电子从热振动的晶体中获得能量，从价带跃迁到导带，形成自由电子，同时在价带中出现自由空穴。在热激发同时，电子也从导带跃迁到价带并向晶格放出能量，这就是载流子的复合。在一定温度下，激发和复合两种过程形成平衡。 在一定温度下激发和复合两种过程形成平衡，称为热平衡状态。 载流子浓度 半导体的电学性质与材料的载流子浓度有关。 载流子浓度就是指单位体积内的载流子数。 热平衡时半导体中自由载流子浓度取决于： ① 能带中能级（或能态）的分布； ②每一个能级可能被电子占据的概率。 能级密度 能级密度 导带和价带内单位体积、单位能量能级数目，电子能量E 处的能级密度 用N(E)表示。 导带内的能级密度 价带内的能级密度 为自由电子的有效质量； 为自由空穴的有效质量；h 为普朗克常数。 能级被电子占据的概率 在热平衡条件下，半导体中能级被电子的占据率 分布服从费米统计分布规律，能量为E 的能级被 电子占据的概率为 Ef 为费米能级；T为绝对温度； k为玻耳兹曼常数 k＝1.38×10-22 J/K。 费米能级 T=0(K)时,若E＜Ef，则fn(E)=1；E＞Ef，则 fn(E)=0 电子全部占据Ef以下的能级，而Ef以上能级是空的。 T＞0(K)时 若E=Ef，则 fn(E)=0.5。通常把电子占据率为0.5的能级定义为费米能级。 若E＜Ef，则fn(E)＞0.5。说明比费米能级低的能级被电子占据的概率大于0.5。 若E＞Ef，则fn(E)＜0.5。说明比费米能级高的能级被电子占据的概率小于0.5。 比Ef能量高得愈多的能级，电子的占据概率愈小。 价带被空穴占据的概率 在价带中，如电子的占据概率为1（被电子占满），则空穴占据的概率为0（不存在空穴）。 空穴的占据概率也就是不被电子占据的概率，则空穴的占据概率为： 导带中电子浓度 导带中能级为E的电子浓度等于在E处的能级密度和可被电子占据的概率的乘积。 导带中总的电子浓度 将n(E)和fn(E)代入就有 式中， 为导带有效能级密度。 价带中空穴浓度 价带中能级E的空穴浓度为 整个价带中的空穴浓度p为 式中， 称为价带有效能级密度。 N(E)、fn(E)、n(E)分布曲线 平衡载流子的有关结论 在每种半导体中平衡载流子的电子数和空穴数乘积与费米能级无关； 禁带宽度 Eg愈小，n和p的乘积愈大，