课件：第四章材料制备.ppt

何为化学气相沉积（CVD）？ CVD（Chemical Vapor Deposition），是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。 这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但目前，不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。 其技术特征在于： （1）高熔点物质能够在低温下合成； （2）析出物质的形态在单晶、多晶、粉末、薄膜等多种； （3）可以制备多种薄膜材料。 含有被镀物质的蒸气被载气(如Ar、H2)携带，或者是气相的源材料进入反应室。基片处于高温。气相物质沉积在基片上形成薄膜。 通常载气的压力较高，约为102-105Pa，因此，与物理沉积法不同，CVD不是在真空条件下工作的，而是在压力较高的条件下工作。 由于分子平均自由程很短，在容器中不是作直线运动，因此，CVD法可在形状复杂的物体表面镀膜。 化学气相沉积过程 等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是利用由输入射频功率源产生的等离子体裂解反应前驱物的CVD工艺，其主要优点是可以降低基片温度，并可精确控制化学剂量比，实现薄膜的原价掺杂。 热丝化学气相沉积 (HWCVD) 是利用由高温热丝来分解反应前驱物的CVD工艺，其主要优点是可以降低基片温度，沉积速率快。 激光诱导化学气相沉积 (LCVD) 是利用激光束的能量分解反应前驱物的CVD工艺。根据对激光束的控制，既可进行大面积的薄膜沉积，也可进行微米范围的局部微区沉积。 金属有机物化学气相沉积法（MOCVD），以金属有机化合物作为源材料的CVD法。 各种CVD技术 硅薄膜的热丝化学气相沉积包括以下过程： 1）反应气体（SiH4和H2）在高温热丝表面的分解过程； 2）分解的基元向衬底的输运过程； 3）在输运过程中与其它分子发生碰撞的气相反应过程； 4）生长基元到达衬底表面，在表面的吸附、反应及成膜过程。 热丝化学气相沉积过程 等离子体化学气相沉积设备(PECVD) 包括： 真空获得及测量系统 反应室 等离子体系统 供气控制系统 将反应气体硅烷（SiH4）和H2通入真空反应室，用等离子辉光放电加以分解，产生包括带电离子、中性粒子、活性基团和电子等，它们落在衬底表面生成Si薄膜。 热丝化学气相系统 从左到右依次是HWCVD腔体、进样室和PECVD腔体。每个腔体之间用闸板阀隔离，通过磁力杆在各腔体之间传递样品。HWCVD腔体和 PECVD腔体均采用前级机械泵和次级分子泵组成的真空系统，可得到~10-4 pa背景真空。 例：制备YBa2Cu3O7高温超导体薄膜 普通的Y、Ba、Cu的化合物需要在相当高的温度下才有足够的蒸气压，不适宜作为CVD的源材料。 以Y、Ba、Cu的金属有机化合物作为源材料。 如Y(C11H19O2)3、Ba(C11H19O2)2、Cu(C12H19O2)2作为Y、Ba、Cu的源材料。 在MOCVD法中，通常以H2气作为稀释和载运气体，化合物源材料在气相混合同进入反应室，在加热区产生热解反应，生成相应的化合物在基片上沉积。 合金的组分和掺杂水平由各种气体源的相对流量来控制，可用质量流量计和各种阀门进行调节控制。 金属有机物化学气相沉积技术（MOCVD法） 分子束外延 (MBE)技术 一种目前最先进的二维平面生长技术 所谓“外延”就是在一定的单晶体材料的衬底上，延着衬底的某个指数晶面向外延伸生长一层单晶薄膜。 分子束外延是1970年左右，在真空蒸发的基础上发展起来的，制备极薄单晶薄膜的精控蒸发技术。 MBE是在超高真空条件下，把构成晶体的各个组分原子(分子)以一定的热运动速度喷射到热的衬底表面上来进行晶体的外延生长。 MBE设备主要由超高真空生长系统、生长过程的控制系统和监测分析仪器等三大部分组成。 分子束外延(molecular beam epitaxy，MBE) 这是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。 使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子阱微结构材料。 分子束外延简介 MBE的基本过程 1) 在超高真空系统中放置基片和分子束源炉(喷射炉)。 2) 将组成化合物