课件：第四章材料制备.ppt

何为化学气相沉积（CVD）？ CVD（Chemical Vapor Deposition），是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。 这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但目前，不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。 其技术特征在于： （1）高熔点物质能够在低温下合成； （2）析出物质的形态在单晶、多晶、粉末、薄膜等多种； （3）可以制备多种薄膜材料。 含有被镀物质的蒸气被载气(如Ar、H2)携带，或者是气相的源材料进入反应室。基片处于高温。气相物质沉积在基片上形成薄膜。 通常载气的压力较高，约为102-105Pa，因此，与物理沉积法不同，CVD不是在真空条件下工作的，而是在压力较高的条件下工作。 由于分子平均自由程很短，在容器中不是作直线运动，因此，CVD法可在形状复杂的物体表面镀膜。 化学气相沉积过程 等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是利用由输入射频功率源产生的等离子体裂解反应前驱物的CVD工艺，其主要优点是可以降低基片温度，并可精确控制化学剂量比，实现薄膜的原价掺杂。 热丝化学气相沉积 (HWCVD) 是利用由高温热丝来分解反应前驱物的CVD工艺