课件：晶体管设计.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 课程设计及设计性试验－晶体管设计 一、引言 二、晶体管设计 （一）晶体管特性概述 进行晶体管设计，是对晶体管基本理论的一次综合运用过程，是理论结合实践的一个重要部分。但前面所学的基本理论只能反映晶体管内部的基本规律，而且这些规律性往往是在忽略很多次要因素的情况下得到的，特别对工艺因素的影响基本上没有考虑进去。因此，设计过程中必须注意引入从生产实践中总结出的经验数据。同时要边设计，边试制，经过多次反复，将存在的主要问题反映出来，然后再进行综合分析和调整，最后提出比较切实可行的设计方案。 （二）各个物理、几何参数对器件特性的影响 双极晶体管的主要电学参数可分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。 1、直流参数 （1）共射电流放大系数β：主要与Wb、NB（基区平均杂质浓度）、NE（发射区平均杂质浓度）有关； （2）反向饱和电流ICBO、ICEO、IEBO：主要由寿命τ，空间电荷区宽度xm（N）决定； （3）饱和压降VCES：主要与rb（Wb、NB）和rCS（NC、WC、AC）有关； （4）输入正向压降VBES：主要与rb（Wb、NB、）有关。 2．交流参数 （1）特征频率fT：由传输延迟时间τeC决定， τe （Ae、NE）、τb（Wb、NB）、τc（Ac、NC）和τd（NC）； （2）功率增益GP：主要由fT、Cc（AC、Apad）和rb（Wb、NB）决定； （3）开关时间ton和toff：主要与Ae、AC、基区和集电区少子寿命τ和集电区厚度WC有关； （4）噪声系数NF：NF主要由rb和fT决定。 3．极限参数 （1）击穿电压BVCEO、BVCBO、BVEBO：BVCBO主要由NC、WC和xjC决定，BVEBO主要由发射结侧壁基区表面浓度决定； （2）集电极最大电流Icm：与发射极总周长LE、集电区杂质浓度NC有关； （3）最大耗散功率Pcm：主要与热阻RT（基区面积Ab、芯片厚度t）有关； （4）二次击穿耐量ESB：主要与NC、WC和镇流电阻RE有关。 晶体管的各电学参量之间是相互有关的，而且电学参数随结构参数的变化关系也相当复杂，甚至出现相互矛盾。 （三）晶体管设计的基本原则 尽管双极晶体管的电学参数很多，但对于一种类型的晶体管，其主要电学参数却只有几个。如对于高频大功率管，主要的电学参数是GP、fT、BVCBO、Pcm和Icm等；而高速开关管的主要电学参数则是ton、toff、VCES和VBES。 1．必须权衡各电学参数间的关系，正确处理各参数间的矛盾。此外要找出器件的主要电学参数，根据主要电学参数指标进行设计，然后再根据生产实践中取得的经验进行适当调整，以满足其它电学参数的要求。 2．任何一个好的设计方案都比须通过合适的工艺才能实现。因此，在设计中必须正确处理设计指标和工艺条件之间的矛盾。设计前必须了解工艺水平和设备精度，结合工艺水平进行合理设计。 3．正确处理技术指标和经济指标间的关系。设计中既要考虑先进的技术指标，也要考虑经济效益。否则，过高的追求先进的技术指标，将是成本过高。同时，在满足设计指标的前提下，尽可能降低参数指标，便于降低对工艺的要求，提高产品成品率。 4．在进行产品设计时，一定要考虑器件的稳定性和可靠性。 （四）设计步骤和设计内容 1．设计步骤： （1）根据使用要求选定主要电学参数，确定主要电学参数的设计指标。 例如：若用户要求晶体管在频率f=400MHz，电源电压Vcc=28V，转换效率η=40%时，具有5W的功率输出。 用户需要的晶体管属于高频大功率管，主要电学参数为GP、fT、BVCBO、Pcm、Icm等。确定了主要电学参数后，设计者的首要任务是确定设计指标。如按P0和η即可确定耗散功率Pcm＝P0/η=12.5W，由使用频率选取fT ＝1.5f= 600MHz等。这样，可将主要电学参数依次确定下来。 （2）根据设计指标的要求，了解同类产品的现有水平和工艺条件，结合设计指标和生产经验进行初步设计。 （3）根据初步设计方案，对晶体管的电学参数进行验算，在此基础上，对设计方案进行综合调整和修改。 （4）根据初步设计方案进行小批量试制，通过边设计，边试