非晶硅薄膜厚度及特性对准分子激光晶化的影响-表面技术.PDF

第 47 卷 第 4 期 表面技术 2018 年 4 月 SURFACE TECHNOLOGY ·109 · 非晶硅薄膜厚度及特性对准分子激光晶化的影响 李小龙，黄鹏，张慧娟，李栋，田雪雁，李良坚，刘政 （京东方科技集团股份有限公司，北京 100176） 摘 要： 目的增加准分子激光晶化最优能量密度的工艺窗口以及提高晶化后多晶硅晶粒尺寸的均匀性，并 最终改善低温多晶硅薄膜晶体管（Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor ，LTPS TFT ）的特性。 方法 采用PECVD 技术在玻璃基板上沉积不同厚度及折射率的非晶硅薄膜（Amorphous Silicon Film ）。利用 高温退火炉脱氢后进行准分子激光退火（Excimer Laser Annealing ，ELA ），完成非晶硅到多晶硅的转变。 通过扫描电镜、原子力显微镜对多晶硅晶粒尺寸以及表面粗糙度进行分析，后续完成薄膜晶体管后利用I-V 测试机台对器件特性进行测试。结果 随着非晶硅薄膜厚度的增加，准分子激光晶化的最优能量密度（Optimal Energy Density ，OED ）以及工艺窗口（OED Margin ）均增加，当膜层厚度大于等于47 nm 时，OED Margin 均为25 mJ/cm2 。当膜厚为47 nm 时，多晶硅晶粒尺寸均匀性为0.64 ，也处于较优的水平。非晶硅薄膜折射 率为4.5 时，形成的多晶硅晶粒尺寸均匀性为0.45 ，远优于折射率为4.38 时的多晶硅晶粒尺寸均匀性。折 2/(Vs)，阈值电压为1.4 V， 射率为4.5 的非晶硅薄膜形成未掺杂的LTPS TFT （PMOS ）迁移率为120.6 cm 2/(Vs)，阈值电压为2.0 V ，关态电流为71 pA。 关态电流为53 pA；折射率为4.38 时的迁移率为112.4 cm 结论 当非晶硅膜厚为47 nm 时，准分子激光晶化的OED Margin 以及晶化后的多晶硅晶粒尺寸均处于较优 的水平。另外，提高非晶硅薄膜折射率同样有利于改善多晶硅晶粒尺寸均匀性以及薄膜晶体管转移特性。 关键词：非晶硅薄膜；准分子激光晶化；折射率；薄膜晶体管器件特性 中图分类号：TB34 文献标识码：A 文章编号：1001-3660(2018)04-0109-06 DOI ：10.16490/ki.issn.1001-3660.2018.04.016 Effects of Thickness and Characteristics of Amorphous Silicon Films on Excimer Laser Crystallization LI Xiao-long, HUANG Peng, ZHANG Hui-juan, LI Dong, TIAN Xue-yan, LI Liang-jian, LIU Zheng (BOE Technology Group Co. Ltd, Beijing 100176, China) ABSTRACT: The work aims to improve optimal energy density process windows of excimer laser crystallization and enhance grain size uniformity of polycrystalline silicon, and finally improve characteristics of low tempera