非晶硅薄膜晶体管器件退化的行为和研究机制.DOC

非晶硅薄膜晶体管器件退化的行为和研究机制 李华冈 指导老师 王明湘 摘 要：本文主要研究非晶硅薄膜晶体管，讨论了它的基本特性以及在不同温度和DC应力下的退化情况；介绍了实验仪器及其测量方法；着重分析了不同DC应力下的退化原因并总结了对应于不同DC应力下的退化机制；验证了对应于不同DC应力下器件退化的经验公式；此外，通过改变环境温度，分析了不同温度下的退化现象及其原因；通过已得实验结论提出了非晶硅TFT在不同DC应力及温度下的退化机制。 关键词：非晶硅薄膜晶体管 直流应力 退化 温度 Abstract：This paper is mainly focused on Amorphous Silicon which is known as a-Si, comprising the basic characters of a-Si and the degradation mechanism of a-Si TFT under stress, especially those under DC stress and temperature stress. In this paper, some related knowledge about Amorphous silicon thin film transistors and the experiment device was introduced concisely . The experiment methods on devices’ DC degradation were also mentioned. Devices’ temperature degradation mechanism was discussed by the means of changing the temperature. In the end, there is a summary of all the previous experiments, some guesses of author is also demonstrated. Keywords: a-Si DC stress degradation temperature 1 引 言 非晶硅（a-Si）是一种新兴的半导体薄膜材料，它作为一种新能源材料和电子信息新材料，自70年代问世以来，取得了迅猛发展。 非晶硅太阳能电池是目前非晶硅材料应用最广泛的领域，也是太阳能电池的理想材料，光电转换效率已达到13%，这种太阳能电池将成为无污染的特殊能源。1988年全世界各类太阳能电池的总产量35.2兆瓦，其中非晶硅太阳能电池为13.9兆瓦，居首位，占总产量的40%左右。与晶态硅太阳能电池相比，它具有制备工艺相对简单，原材料消耗少，价格比较便宜等优点 非晶硅的用途还很多，可以制成非晶硅场效应晶体管；用于液晶显示器件、集成式a-Si倒相器、集成式图像传感器、以及双稳态多谐振荡器等器件中作为非线性器件；利用非晶硅膜可以制成各种光敏、位敏、力敏、热敏等传感器；利用非晶硅薄膜制作静电复印感光膜，不仅复印速率会大大提高，而且图象清晰，使用寿命长等等。 本课题通过对a -si TFT器件退化行为机制和驱动电路作详尽的调研，涉及应力实验，探寻器件的退化行为，并辅以器件研究手段力求澄清其退化机制。 2 实验方法 2.1实验平台简介 本实验中使用的测量仪器为安捷伦公司的4156C半导体参数分析仪。 4156C半导体参数测量仪是Agilent公司新一代的高精度半导体参数测量仪，其前面板布局如图1所示。它提供了一个对先进半导体器件的精确测量平台。4156C的高精度小电流/低电压测量和内建的准静态CV测试功能保证了日后与其他仪器的可扩展性。良好的软件支持使4156C能为用户提供一个测试半导体参数的全面解决方案。 Agilent4156C半导体参数测量仪有4个SMU接口，2个VMU接口和2个VSU接口。这些标准测量源可以满足参数特性的最大要求。另外的SMUs，PGUs，GNDU可以通过Agilent 41501 B 扩展器箱增加，插进4155C或者4156 C的背面。另外测量资源自动在I/CV 2.1轻便的软件环境内和在仪器面板上出现。Agilent的I/CV2.1为4156C提供了一个种新的自动测量的软件环境。他们两者的结合可以使你方便的在Windows 2000或XP环境下进行测量。他可以对复杂的参数进行图表等操作，使其在观察时能更易于被清楚的观察。I/CV2.1同样也可以对wafer的探针台进行控制，时续测试和数据分析，为参数的测量分析提供完备的解决方案。 I/CV2.1是和其他软件兼容的，所以可以在计算机上用 Excel或者word文档来