LED用图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀工艺.docxVIP

加工、 测量与设备 Processing， Measurement and Equipment ＬＥＤ 用图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀工艺 刘建哲１，２，杨新鹏２，彭艳亮２，曾建飞２，潘安练１，金良荣２ （１．湖南大学 物理与微电子科学学院，长沙 ４１００８２； ２．浙江东晶博蓝特光电有限公司，浙江 金华 ３２１０１７） 摘要：近年来，图形化蓝宝石衬底 （ＰＳＳ） 作为 ＧａＮ 基 ＬＥＤ 外延衬底材料被广泛应用。采用感 应耦合等离子体 （ＩＣＰ） 技术对涂覆有光刻胶阵列图案的蓝宝石衬底进行刻蚀。 通过研究及优化 不同ＩＣＰ 刻蚀工艺参数对刻蚀速率和选择比的影响， 分别成功制备出蒙古包形和圆锥形图形化 蓝宝石衬底片，并在其表面完成ＩｎＧａＮ／ＧａＮ 多量子阱外延及芯片工艺。 借助光致发光和电致发 光等手段测试其 ＬＥＤ 器件的光电学性能。实验结果发现圆锥形的图形化蓝宝石衬底拥有更强的 光功率和更窄的半峰宽， 说明这种形貌的衬底在 ＧａＮ 外延时有效 减少了晶格失配 造成的 缺 陷， 提高了晶体质量，从而更有效地增加 ＬＥＤ 出光效率。 关键词：图形化蓝宝石衬底 （ＰＳＳ）； 干法刻蚀； 刻蚀速率； 刻蚀选择比； 发光二极管 （ＬＥＤ）； ＧａＮ 外延层；光致发光 （ＰＬ）；电致发光 （ＥＬ） 中图分类号：ＴＮ３０４．２３；ＴＮ３６４．２