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1）简化模型下的通态特性 （1）平衡pin （2）正向偏置电压下的pin p i（n-） n p i（n-） n + - jpin Vpin J1 J2 4 、PIN二极管通态特性 1）简化模型下的通态特性 （3）pin的正向特性 （忽略体压降） p i（n-） n + - jpin Vpin J1 J2 2） 通态特性的准确计算 基区体压降 结压降 正向压降 正向压降的主要影响因素 内容 基区体压降VM求解思路 利用连续性方程求出基区的载流子浓度 电流密度表达式 I区电场表（E )表达式 VM的表达式 金属 金属 P+ N+ I -d +d 0 连续 性方程 边界条件： 基区 载流子浓度 VM求解过程 VM求解过程 I区电场强度，对其积分可求得VM 大注入下可近似认为 电子与空穴浓度相等 VM求解过程 VM式中，第一项为欧姆电压降产生的电场分量; 第二项为是电子和空穴迁移率不等产生的浓度分布不对称形成的电场分量。 d/La VM/kT/q VM的曲线 欧姆电压降随d/La的增加而迅速增大。 d≤La时，称为“短”结构PIN二极管。对于d≥3La的情况，则与上述相反，称为“长”结构二极管。 VPI+VNI求解 PN结结定律 VF=? d/La F(d/La) 3）VF的主要影响因素分析 当（d/La）的值为1时，通态压降最小，当（d/La）超过3时，通态压降迅速增加。少子寿命的增加可以降低体压降，但载流子间的散射、俄歇复合及注入效率又影响着I区的电导调制效应。 d/La 通态压降 4）降低二极管正向压降的途径 （1）控制基区宽度、提高少子寿命 VM随d/La增大而增大，降低VF必须降低d/La比值。PIN二极管以d=La划分为“长”或“短”结构。La随注入载流子浓度增加而下降，在器件设计时，应尽可能地使d/La在高电流密度时保持较小的值。这样，即使在浪涌电流(103A/cm2)时，器件仍有如一个短结构二极管一样。同时，器件又能保持具有高压结构的所谓“长”结构二极管的特点。 （2）降低接触压降 复合中心法 金属与半导体的高掺杂接触 蒸金 烧结前硅表面的喷砂打毛
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