五重孪晶银纳米线形变机理的分子动力学模拟分析.pdfVIP

摘要 摘要 银纳米线被认为是最有可能取代铟锡氧化物(ITO)的材料，它们在将来的 柔性光电子器件领域展现出了巨大的应用前景。五重孪晶结构是银纳米线内的一 种常见结构，尽管过去的实验和模拟强有力地证实了纳米孪晶界能作为一种有效 的途径来提高纳米材料的综合性能，人们对于五重孪晶界对一维金属纳米材料力 学性能影响的认识依然不是很清晰。本文采用分子动力学方法研究了单晶和五重 孪晶银纳米线在拉伸、压缩、弯曲、扭转载荷下的力学行为，尤其关注孪晶界相 关的形变机理。主要结论如下： 1．拉伸时，单晶银纳米线的塑性变形由不全位错滑移和孪生实现；五重孪晶界 有效地阻挡了不全位错的运动。大量位错被困在五重孪晶纳米线内部，随着 变形增加，位错间会发生复杂的反应并产生大量的不可动位错。孪晶界在变 形过程中逐渐失去它们的共格特性和平整性，甚至伴随着孔洞出现在孪晶界 交汇处来释放位错塞积引起的应力集中。 2．压缩时，单晶银纳米线的塑性变形以全位错滑移为主，全位错能完全滑出纳 米线表面从而导致位错匮乏状态；五重孪晶界的存在导致了全位错必须与孪 晶界发生交互作用。非螺型全位错穿过孪晶界后会沿着{100)面滑移，最终 交滑移到与加载轴平行的{111)面上。在整个塑性过程中，由于位错和孪晶 界以及位错之间的交互作用，五重孪晶纳米线内的位错密度显著上升。 3．弯曲时，单晶纳米线的塑性变形主要由孪生实现，孪生导致纳米线的{100) 侧表面重新取向到{110)晶面；五重孪晶纳米线的塑性变形则完全集中在中 部和端部很小的范围内。位错的运动受到孪晶界的阻碍，大量位错塞积在孪 晶界附近，为了释放由局域化变形和位错塞积引起的应力集中，五重孪晶纳 米线较早开始断裂。五重孪晶银纳米线相对单晶银纳米线而言具有更高的强 度，但是明显更低的塑性。 4．五重孪晶纳米线的扭转塑性变形分为两个阶段：当载荷不大时，塑性变形完 全由五个孪晶不全位错滑移实现，若在这个阶段卸载，塑性可以完全恢复， 五重孪晶纳米线展现出伪弹性行为；继续增加载荷，各个晶区内开始出现同 轴Shockley不全位错形核和滑移，与孪晶不全位错一样，这些位错同样从形 核端不断向纳米线另一端扩展，卸载后可以恢复。与此同时，在加载端附近 还会出现不可恢复的非螺型位错，阻碍了纳米线卸载后回到初始状态。 关键字：银纳米线，分子动力学，五重孪晶界，塑性机理，位错一孪晶交互作用 万方数据 摘要 Ⅱ 万方数据 ABSTRACT Silvernanowiresareconsideredasthemost alternativestoindiumtin likely areenvisionedtobe offlexible oxide(ITO)，and keycomponents optoelectronic devices．Silvernanowires in contain fivefold synthesizedlaboratorytypicallyspecific and