用于GPS卫星导航系统的低噪声放大器设计-中南大学学报.PDF

第 44 卷第 11 期 中南大学学报(自然科学版)  Vol.44  No.11  2013 年 11 月  Journal of Central SouthUniversity (Science and Technology)  Nov. 2013  用于 GPS 卫星导航系统的低噪声放大器设计 1  1  1  1,2, 3  1,2,3  1  项勇  ，周仁杰  ，段炼  ，甘业兵  ，马成炎  ，叶甜春  (1.  中国科学院 微电子研究所，北京，100029；  2.  杭州中科微电子有限公司，浙江 杭州，310053；  3.  嘉兴联星微电子有限公司，浙江 嘉兴，314000)  摘要：采用 0.18 μm SiGe BiCMOS 工艺设计一个用于 GPS 卫星导航系统射频前端电路的低噪声放大器。该低噪 声放大器采用  BiFET(Bipolar­MOSFET)  Cascode  结构可以同时实现极低噪声和高线性度。采用异质结晶体管  (heterogenous bipolar transistor, HBT)作为输入管以提供低噪声性能，Cascode 级采用 MOSFET 管来提高线性度。 与传统的全 HBT 管或全 MOSFET 管相比，这种混合结构能更方便地实现噪声、增益和线性度之间的折中设计。 当该低噪声放大器在 2.85 V 电源电压下工作时，消耗 3.7 mA 电流，提供 19 dB功率增益，噪声系数为 0.9 dB， 输入 1dB压缩点为 0.065 mW。 关键词：低噪声放大器；噪声系数；BiFET Cascode 结构；线性度 中图分类号：TN772  文献标志码：A  文章编号：1672−7207(2013)11−4513−07  Design of low noiseamplifier for GPSreceiver  1  1  1  1,2, 3  1,2,3  1  XIANG Yong , ZHOU Renjie , DUAN Lian , GAN Yebing  , MA Chenyan  , YE Tianchun  (1. Institute of Microelectronics, The ChineseAcademy of Science, Beijing 100029, China;  2. Hangzhou Zhongke Microelectronics Co. Ltd., Hangzhou 310053, China;  3. Jiaxing Lianxing Microelectronics Co. Ltd., Jiaxing 314000, China)  Abstract: The design and implementation of a low noise amplifier (LNA) based on 0.18 μm SiGe BiCMOS process for  the RF circuits in GPS receivers was presented. It uses a BiFET Cascode structure and ac