半导体物理导论..pptxVIP

半导体物理导论;课程代码：050408 课程性质：学科基础课 学分：2.0 时间：周三（3, 4）、周五（1, 2） 教室：D座103 课程特点：内容广、概念多，理论和系统性较强。 课程要求：着重物理概念及物理模型；基本的计算公式 课程考核：考勤（10%），作业（20%），期末（70%） ; 教材：黄昆，韩汝琦，《半导体物理基础》，科学出版社，2010 参考资料 刘恩科，朱秉升，罗晋生 编著《半导体物理学》 (第七版)，电子工业出版（2011） 《半导体物理》， 钱佑华，徐至中，高等教育出版社2003 《半导体器件物理》(第3版)， 耿莉，张瑞智译|(美)S. M. Sze,?Kwok K. Ng 著，西安交通大学出版社?2008 《Semiconductor Physics and Devices:Basic Principles》 3rd Ed.半导体物理与器件--基本原理(第3版) (美)Donald A. Neamen 清华大学出版社 2003 《半导体物理学学习辅导与典型题解》--高等学校理工科电子科学与技术类课程学习辅导丛书，田敬民 电子工业出版社2006 半导体物理讲义与视频资料，蒋玉龙;课程简介3：课程地位和知识应用领域;课程简介4：本课程内容;半导体概要1;半导体概要2;金刚石结构;硅和锗的共价键结构;金刚石结构;闪锌矿与金刚石结构的比较;二、半导体的主要特征：; 光照对半导体的影响 ;三、半导体的主要应用领域;第一章 掺杂半导体的导电性;掺杂 为了改变半导体的导电性而向其中加入杂质的技术． 工艺： 高温扩散　１０００度 离子注入　50kev　损伤与退火 N型：P， As，Sb，Bi P型：B，Al，Ga, In 1.1.1 元素半导体的掺杂 Si ， Ge (0.78 eV) 中掺杂 P， B 为例 1.1.2 化合物半导体的掺杂 GaAs （1.43 eV) 为例 ;1.2 电导率和电阻率;1、漂移运动 漂移运动：载流子在外电场作用下的定向运动。; 由电阻率可确定所含杂质的浓度。材料越纯，电阻率越高（不适于高度补偿的材料）。;1.3 迁移率（mobility）;;电子和空穴迁移率比较;1、漂移运动 漂移运动：载流子在外电场作用下的定向运动。;; 1.3.2 同一种材料，迁移率与杂质浓度的关系 下图表示锗、硅、砷化镓在室温时迁移率与杂质浓度的关系。 　杂质浓度增大时，迁移率下降。; 在高纯样品（如Ni=1013cm-3）或杂质浓度较低的样品（到Ni=1017cm-3）中，迁移率随温度升高迅速减小，; 高掺杂浓度 杂质浓度增大后，迁移率随温度增加而下降的趋势就不显著了，;问题： 为什么不同材料的载流子迁移率不同？ 为什么电子和空穴有不同的迁移率？ 为什么温度和掺杂浓度影响迁移率？;§1.3.4 载流子的散射 The Scattering of carriers;;（2）载流子的漂移运动;外加电场： 1）载流子作定向运动 2）载流子不断遭到散射;晶格散射 温度越高，晶格振动越强，对载流子的晶格散射越强。低掺杂浓度的半导体中，迁移率随温度升高而大幅度下降，其原因就在这里 电离杂质散射 掺杂浓度：随浓度增大，迁移率下降 温度： 随温度升高，载流子速度增大，受电离杂质的吸引或排斥作用减弱，散射作用减弱，与晶格散射相反。;II．电离杂质的散射 　杂质电离后是一个带电离子，施主电离后带正电，受主电离后带负电。 　在电离施主或受主周围形成一个库仑势场，局部地破坏周期性势场，是使载流子散射的附加势场。; 下图画出电离施主和电离受主对电子和空穴散射的示意图，它们在散射过程中的轨迹是以施主或受主为一个焦点的双曲线。 ; 浓度为Ni的电离杂质对载流子散射概率Pi与温度的关系为 Pi ? NiT-3/2 　? ;3、强电场下的效应 热载流子 Effect at Large Field, Hot Carrier 电场强度对迁移率的影响;3 强电场下的效应、热载流子;1、欧姆定率的偏离与强电场效应 j = nq μ E;2、热载流子 载流子有效温度Te：当有电场存在时，载流子的平均动能比热平衡时高，相当于更高温度下的载流子，称此温度为载流子有效温度。 热载流子：在强电场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，载流子的平均能量大于晶格系统的能量，将这种不再处于热平衡状态的载流子称为热载流子。;3、平均漂移速度与电场强度的关系;? A：轻掺（杂质浓度1016～1018cm-3），迁移率随杂质浓度的变化变小 ; 杂质浓度