第十一章磁敏传感器.pptVIP

第11章 磁敏传感器 11.1 霍尔式传感器 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应, 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展, 开始用半导体材料制成霍尔元件, 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。 霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。  一、霍尔效应及霍尔元件 1. 霍尔效应 长度为L,宽度为w,厚度为d的金属或半导体薄片，垂直置于磁感应强度为B的磁场中。若在它的两个对边通以激励电流I，则将在另两个相对边上产生电势UH，称为霍尔电势或霍尔电压，这种现象称霍尔效应。 设薄片为N型半导体，其多数载流子电子的运动方向与电流相反。若电子平均运动速度为v,电荷量为e,则它将受到垂直于运动方向与磁场方向的洛仑兹力fL的作用，fL大小为  fL =eBv 式中: e——电子电荷;  v——电子运动平均速度;  B——磁场的磁感应强度。 电子受到力的作用，将向一侧发生偏转，在该侧积累电子，相应地在另一侧积累正电荷，从而形成了附加内电场,此电场的出现, 使定向运动的电子除了受洛仑磁力fL作用外, 还受到电场的作用力fE, 此力阻止电荷继续积累。 随着两个侧面积累电荷的增加, 内电场增加, 电子受到的电场力也增加, 当电子所受洛仑磁力与电场作用力大小相等、方向相反时, 此时电荷不再向两侧积累, 达到平衡状态。这时，在薄片两横端面之间建立的电场称为霍尔电场EH，相应的电势就称为 霍尔电势。 产生霍尔电动势时， fL= fE，即 evB =eEH，则 EH=vB，UH=EHw. 若金属或半导体导电板单位体积内电子数为n, 电子定向运动平均速度为v, 由激励电流I=-nev(wd), 得 v=-I/newd 则 EH=-IB/newd 从而得霍尔电势 UH=-IB/ned 对于N型半导体，令RH=-1/(ne),称之为霍尔常数，霍尔元件的灵敏度定义为KH=RH/d, 则 UH=RHIB/d=KHIB 由上式可见，霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔常数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度, 霍尔元件常制成薄片形状。对霍尔片材料的要求, 希望有较大的霍尔常数RH, 霍尔元件激励极间电阻R=ρL/（wd）, ρ为霍尔材料的电阻率。同时R=UI/I=EIL/I=L/（μnebd）, 其中UI为加在霍尔元件两端的激励电压，EI为霍尔元件激励极间内电场，v为电子移动的平均速度，μ为电子迁移率（=v/EI) 则 解得： RH=μρ 由此可知，霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率μ的乘积。若要霍尔效应强, 则RH值大, 因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。 一般金属材料载流子迁移率很高, 但电阻率很小; 而绝缘材料电阻率极高, 但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。目前常用的霍尔元件材料有: 锗、 硅、砷化铟、 锑化铟等半导体材料。 其中N型锗容易加工制造, 其霍尔系数、 温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好, 其霍尔系数、 温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感, 尤其在低温范围内温度系数大,但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小, 温度系数也较小, 输出特性线性度好。 2. 霍尔元件基本结构 霍尔元件的结构很简单, 它由霍尔片、 引线和壳体组成, 如下图(a)所示。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片， 引出四个引线。1、1′两根引线加激励电压或电流，称为激励电极；2、2′引线为霍尔输出引线，称为霍尔电极。 霍尔元件壳体由非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装而成。 在电路中霍尔元件可用两种符号表示，如下图(b)所示。 3. 霍尔元件基本特性 1）输入电阻和输出电阻 激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极输出电势对外电路来说相当于一个电压源, 其电源内阻即为输出电阻。以上电阻值是在磁感应强度为零且环境温度在20℃±5℃时确定的。 2）灵敏度