陕西师范大学-计算机组成原理-课件ppt-白中英第5版-chp3.ppt

第三章 内部存储器;第三章 多层次的存储器;导入;3.1存储器概述;3.1存储器概述;3.1存储器概述;3.1存储器概述;3.1.2 存储器分级结构;3.1.2 存储器分级结构;3.1.2 存储器分级结构;3.1.3主存储器的技术指标;3.1.3主存储器的技术指标;3.1.3主存储器的技术指标;3.1.3主存储器的技术指标;3.2 SRAM存储器;3.2 SRAM存储器;3.2 SRAM存储器;;3.2 SRAM存储器;3.2 SRAM存储器;;3.2 SRAM存储器;3.2 SRAM存储器;3.2 SRAM存储器;3.2 SRAM存储器;3.2 SRAM存储器;3.2 SRAM存储器;3.2 SRAM存储器;3.2 SRAM存储器;3.3 DRAM存储器;;图(a)表示写1到存储位元。此时输出缓冲器关闭、刷新缓冲器关闭，输入缓冲器打开（R/W为低），输入数据DIN=1送到存储元位线上，而行选线为高，打开MOS管，于是位线上的高电平给电容器充电，表示存储了1。;图(b)表示写0到存储位元。此时输出缓冲器和刷新缓冲器关闭，输入缓冲器打开，输入数据DIN=0送到存储元位线上；行选线为高，打开MOS管，于是电容上的电荷通过MOS管和位线放电，表示存储了0。;图(c)表示从存储位元读出1。输入缓冲器和刷新缓冲器关闭，输出缓冲器/读放打开（R/W为高）。行选线为高，打开MOS管，