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materialstudio使用经验总结 关于K点 1. 应当使用多少个 k网格? 很难一般地回答,只能给出一般建议。注意:一定要检查 k网格,首先用较粗糙的网格计算, 接下来用精细的网格计算。通过比较两次的结果,决定选用较粗糙的网格,或是继续进行更 精细网格的计算,直到达到收敛。金属体系需要精细的网格,绝缘体使用很少的 k点通常就 可以。小单胞需要精细格点,大单胞很可能不需要。因此:单位晶胞内原子数很多(比如 40-60个)的绝缘体,可能仅需要一个(移动后的)k点。另一方面,面心立方的铝可能需 要上万个k点以获得好的DOS。对于孤立原子或分子的超晶胞,仅需要在 Gamma点计算。对 于表面(层面)的超晶胞计算,仅需要(垂直于表面)z方向上有 1个k点。甚至可以增加 晶格参数c,这样即使对精细格点,沿 z方向上也只产生一个 k点(产生 k点后,不要忘记 再把c改回)。 2. 当体系没有出现时间反演对称操作时,是否加入? 大多数情况下的回答是“是”,只有包含自旋-轨道耦合的自旋极化(磁性)计算除外。这 时,时间反演对称性被破坏(+k和-k的本征值可能不同),因此决不能加入时间反演对称性。 3. 是否移动k网格?(只对某些格子类型有效) “移动”k网格意味着把所有产生的k点增加x,x,x,把那些位于高对称点(或线)上的 k 点移动到权重更大的一般点上。通过这种方法(也即众所周知的“特殊 k点方法”)可以产 生等密度的,k点较少的网格。通常建议移动。只有一点注意:当对半导体的带隙感兴趣时 (通常位于 Gamma,X,或 BZ边界上的其它点),使用移动的网格将不会得到这些高对称性 的点,因此得到的带隙和预期结果相比或大或小。这个问题的解决:用移动的网格做 SCF 循环,但对 DOS计算,改用精细的未移动网格。 关于k空间布点的问题,建议参阅以下文献 Phys.Rev.B 49,16223 1994 如何构建缺陷晶体结构 晶体结构改成 P1,然后去掉想抹去的原子就可以了 在ms中如何做空穴 对于金属缺陷,是直接剪切一个原子? 个人经验:就是直接把原子去掉就OK;如果不是正版软件,有可能出现同时去掉其他同位 置的原子,如果这种情况,就重新定义,问题就不会出现了.还有,一般考虑孔穴的时候, 都要标明哪些原子的迟豫,具体为什么不知道,国外的文献有提到.希望有做空位的一起多 讨论.我Q:183876402 PDOS选项 计算 DOS时,选择 PDOS,可以画出 s,p,d轨道的 DOS,但无法画出某一个原子的 s,p,d图 关于 PDOS的 Chart中求积分的问题 在用 Castep计算出 PDOS后,如何在 Chart中对曲线局部进行积分?将 Chart输出为 cav格式, 然后在 excel中求和简单,把数据导出,在 Origin里作图,程序里有积分微分卷积功能,在数据分析下面。作 图时选取积分范围。 优化结构 算能带一般需要优化结构。如果选择实验的参数,全部固定的话就不需要了 如何做二维电子密度图 MS结果文件夹中*.grd文件内存储的是三维空间各点的电荷密度值,利用这个数据就可以得 到二维的电荷密度等值线图,应该有专门的软件能画,不过用 matlab编自己编程序也不难,其 中关键命令是 contourslice,实现在某一平面内绘制等高线 对 DOS图的分析 根据 DOS的积分曲线可以计算出,对于表面 N 和 C原子,大约有 16.8%和 14.8%的电子态 b 集中在 4.0~2.0eV的区域,而对体相原子则分别为 6.4%和 6.0% 表面吸附 我做 H在 ZnO上吸附。刚开始时后我构建的吸附构型忘记 impose symmetry了, Groupname 是 P1。 在第二次计算的时候 我加上了 symmetry。 两次计算差别出来了: (1) 首先是 impose symmetry后,supercell中的原子位置由原 来的现面跑到了上面,也就是和真空层换了一下位置! 而且吸附原子竟然 超出了 supercell 的 白色线框!(2)比较两次计算的 DOS,一模一样;但是两次计算的 Band Structure 却有很大差异! 回答:1)只是显示问题 (2) Band Structure 有很大差异是指那种差异?使用不同对称性计算能带时,默认计算 的 K点是不同的,所以图像肯定不同。如果你确定是选择计算了同样的 K点,能带结构仍 然不同,那可能是采用对称后结构变化导致的。 如何计算结构中某一元素的分波态密度 1. 我最近看了关于氧气锌的论文,上面有锌原子的分波态密度图,可是我怎么都没算出来, 一直得到氧和锌原子的分波态密度,希望哪