模电第四章-场效应晶体管及其放大电路.pptVIP

1. 自给偏压 当耗尽型管的栅源回路接通时，在漏极电源作用下，就有电流通过，并在源极电阻上产生静态负栅偏压，通常称为自偏压，其值为 适当调整源极电阻 ，可以得到合适的静态工作点，通过下列关系式可求得工作点上的有关电流和电压： 此电路不适用于增强MOS 管， 因为静态时该电路不能使管子开启， 即 。 图4-9 2. 分压式偏置电路 适当选择 或 值，就可获得正、负及零三种偏压。图中 阻值很大，用以隔离 、 对信号的分流作用，以保持高的输入电阻。 静态分析也可以采用公式估算法，并在实际应用时，用RP来微调可联立求解： 图4-10 4.2.2 场效应管的交流等效模型 场效应管也是非线性器件，在输入信号电压很小的条件下，也可将用小信号模型等效。与建立晶体管小信号模型相似，将场效应管也看成一个两端口网络，以结型场效应管为例，栅极与源极之间为输入端口，漏极与源极之间为输出端口。无论是哪种类型的场效应管，均可以认为栅极电流为零，输入端视为开路，栅-源极间只有电压存在。在输出端口，漏极电流 是 和 的函数。 图4-11 4.2.3 共源放大电路的动态分析 应用微变等效电路法来分析计算场效应管放大的电压放大倍数和输入电阻、输出电阻，其步骤与分析三极管放大电路相同。 图为共源极放大电路和微变等效电路。 图4-12 1. 求电压放大倍数 2. 求输入电阻 通常，为了减小 、 对输入信号的分流作用，常选择 ， 3. 求输出电阻 * 中华民族有着五千多年的文明历史，中华民族在世界上是一个非常卓越和伟大的民族。我们有过繁荣昌盛的唐朝，有过强盛无比疆域辽阔的汉朝和元朝，更有灿烂美丽的唐、宋文化 第四章 场效应晶体管及其放大电路 4.1 单极型晶体管 4.2 场效应管基本放大电路 4.3 应用电路介绍 场效应管属于另一种半导体器件，尤为突出的是：场效应管具有高达107～1015的输入电阻，几乎不取用信号源提供的电流，因而具有功耗小、噪声小、体积小、抗幅射、热稳定性好、制造工艺简单且易于集成化等优点。 根据结构的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两大类，它们都只有一种载流子(多数载流子)参与导电，故又称为单极型三极管。其中绝缘栅型应用更为广泛。 简介 P126 4.1 单极型晶体管 （FET） 绝缘栅型场效应管的结构是金属－氧化物－半导体，简称为MOS管。MOS管可分为N沟道和P沟道两种，每一种又可分为增强型与耗尽型两种型式。本节将以N沟道为例，说明绝缘栅型场效应管的结构和工作原理。 4.1.1 场效应管的结构和外部特性 1. N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构 图4-1 （1）工作原理 1) 导电沟道的形成 当 足够大时，由于静电场作用，管子的漏极和源极之间将产生一个导电通道(称为沟道)，极间等效电阻较小。 越大，导电沟道宽度越宽，等效电阻越小。 产生导电沟道所需的最小栅源电压我们称为开启电压 。改变栅源电压，就可以改变导电沟道的宽度。 上述这种在时没有导电沟道，因而必须在时才形成导电沟道的场效应管称为增强型场效应管。 图4-2 2）漏源间电压好栅源电压 对漏极电流 的影响 当 时，若在漏-源之间加上正向电压时，则将产生一定的漏极电流。此时， 的变化会对导电沟道产生影响。 即当 较小时， 的增大使 线性增大，沟道沿源-漏方向逐渐变窄，如图4-3 a)所示。 一旦 增大到使 时，沟道在漏极一侧出现夹断点，称为预夹断，如果 继续增大，夹断区随之延长，如图(b)所示。 图4-3 2）漏源间电压好栅源电压 对漏极电流 的影响 而且 的增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力。 此时， 几乎不因 的增大而变化，管子进入恒流区， 几乎仅决定于 。 在 时，对应于每一个 就有一个确定的 。此时，可将 视为电压 控制的电流源。 工作原理 （2）特性曲线与电流方程