模电第三章-场效应管放大电路课件.pptVIP

场效应管放大电路 中华民族有着五千多年的文明历史，中华民族在世界上是一个非常卓越和伟大的民族。我们有过繁荣昌盛的唐朝，有过强盛无比疆域辽阔的汉朝和元朝，更有灿烂美丽的唐、宋文化 3.1 场效应管 2.2 场效应单管放大电路 场效应管的定义： 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。 场效应管的特点： 场效应管的工作原理： 具有输入阻抗高、热稳定性好、噪声低、抗辐射能力强、制造工艺简单等优点。 兼有体积小、重量轻、耗电省寿命长等特点。 将控制电压转换为漏极电流——互导放大器件。 P沟道 耗尽型D P沟道 P沟道 N沟道 增强型E N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 3.1 场效应管 3.1.1 金属氧化物-半导体场效应管MOSFET 3.1.2 结型场效应管JFET 1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号 1 N沟道增强型MOSFET 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS=0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。 当0vGS VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当vGS VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压 输出特性曲线 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 ?靠近漏极d处的电位升高 ?电场强度减小 ?沟道变薄 当vGS一定（vGS VT ）时， vDS? ?ID? ?沟道电位梯度? 整个沟道呈楔形分布 输出特性曲线 当vGS一定（vGS VT ）时， vDS? ?ID? ?沟道电位梯度? 当vDS增加到使vGD=VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT 输出特性曲线 预夹断后，vDS? ?夹断区延长 ?沟道电阻? ?ID基本不变 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 工作原理 （3） vDS和vGS同时作用时 给定一个vGS ，就有一条不同的 iD – vDS 曲线。 V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ① 截止区 当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。 V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT） 由于vDS较小，可近似为 rdso是一个受vGS控制的可变电阻 V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 ?n ：反型层中电子迁移率 Cox ：栅极（与衬底间）氧化层单位面积电容 本征电导因子 其中 Kn为电导常数，单位：mA/V2 V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ③ 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS VT ，且vDS≥（vGS－VT） 是vGS＝2VT时的iD V-I 特性： V-I 特性曲线及大信号特性方程 （2）转移特性 在漏源电压一定的条件下，栅源电压对漏极电流的控制特性 2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流 vGS为负电压达到一定数值时，沟道完全被夹断，此时的栅源电压称为夹断电压Vp 2 N沟道耗尽型MOSFET 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （N沟道增强型） 3 P沟道MOSFET 4 沟道长度调制效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的 L的单位为?m 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，曲线是平坦的。 修正后 3.1.2 JFET 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？栅结（PN结）的正偏方向 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 2. 工作原理