场效应晶体管和基本放大电路课件.pptVIP

第3章 场效应晶体管和 基本放大电路;本章的重点与难点; ;3.1.1 结型场效应管;结型场效应管的符号;2. 工作原理－－电压控制作用;正常工作时： 在栅-源之间加负向电压， (保证耗尽层承受反向电压) 漏-源之间加正向电压， (以形成漏极电流） 这样既保证了栅-源之间的电阻很高，又实现了UGS对沟道电流ID的控制。;;d;d;UDS;UDS; ?UGS ?增加，使导电沟道变窄，ｄ、ｓ间的正电压使沟道不等宽。 导电沟道夹断后，ID几乎仅仅决定于UGS而与UDS 基本无关。 当UGS一定时，ID表现出恒流特性。此时可以把ID近似看成UGS控制的电流源。 ;1）UGD UGS（off） 时（未出现夹断前）,对于不同的UGS ，漏源之间等效成不同阻值的电阻， ID随UDS 的增加 线性增加。（对应可变电组区） 2）UGD= UGS（off） 时，漏源之间预夹断。 3）UGD UGS（off） 时， ID几乎只决定于UGS，而与UDS 无关，可以把ID近似看成UGS控制的电流源。 （对应恒流区，即放大区）;3.结型场效应管的特性;（预夹断轨迹：通过连接各曲线上UGD= UGS（off）的点而成。）; 条件： UGD UGS（off） 特点： ID只受UGS 控制。; 导电沟道全部夹断。 条件：｜UGS ｜ ?? UGS（off） 特点： ID? 0;(2)转移特性曲线;4;3.1.2 绝缘栅型场效应管（MOS管);第1章 1.4;D;第1章 1.4;第1章 1.4;第1章 1.4;第1章 1.4;4;ID和UGS的近似关系：;制造时,在sio2绝缘层中掺入大量的正离子,即使UGS =0，在正离子的作用下，源-漏之间也存在导电沟道。只要加正向UDS ，就会产生ID。 只有当UGS小于某一值时，才会使导电沟道消失，此时的UGS称为夹断电压UGS(off) 。;d;4;场效应管的符号及特性 ; 例：测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及它们的开启电压如表所示。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区）。;3.1.3 场效应管的主要参数; （4）直流输入电阻RGS（DC） 栅-源电压与栅极电流的比值，其值很高,一般为107-1010左右。;2.交流参数;2.交流参数;3.极限参数; (3)最大栅源电压U GS(BR) 对于结型场效应管，使栅极与沟道间反向击穿的UGS称为栅-源击穿电压。 对于绝缘栅型场效应管，使绝缘栅层击穿的UGS称为栅-源击穿电压。 ;1.场效应管利用栅源电压控制漏极电流，是电压控制元件，栅极基本不取电流（很小），输入回路电阻很大； 晶体管利用基极电流控制集电极电流，是电流控制元件，基极索取一定电流，输入阻抗较小。 ; 2. 晶体管的放大倍数通常比场效应管大。 3. 场效应管只有多子导电，而晶体管多子和少子均参与导电，场效应管比晶体管热稳定性好、抗辐射能力强。 4. 场效应管比晶体管噪声系数小。 5. 场效应管源极、漏极可以互换使用，互换后特性变化不大；而晶体管的发射极和集电极互换后特性差异很大,一般不能互换使用。; 6. 场效应管的种类比晶体管多，特别对于耗尽型MOS管，栅-源控制电压可正可负，均能控制漏极电流。 7.ＭＯＳ管的栅极绝缘，外界感应电荷不易泄放。 8. 场效应管和晶体管均可用于放大电路和开关电路，但场效应管具有集成工艺简单，工作电源电压范围宽，耗电省、低功耗等特点，目前越来越多的应用于集成电路中。;3.2 场效应管放大电路;场效应管放大电路也必须建立合适的静态工作点，保证有输入信号时工作在恒流区。;1.自给偏压电路;２.分压式偏置电路;静态工作点分析;解：（求静态，电容开路）;（本例IDQ不应大于IDSS);３.２.２ 用微变等效电路法分析场效??管放大电路的动态参数;低频小信号模型;s;耗尽型（结型）：;２．应用微变等效电路分析法分析场效应管放大电路;例３-３　图3-14电路中令CS和RL开路，;共源电路的电压增益比共射电路小，输入电阻大。;（２）共漏放大电路 （从源极输出） ;3)输出电阻;例３-４图示电路;;把IDQ的表达式代入gm表达式可求出：; 场效应管放大电路的三种接法 （以N沟道结型场效应管为例）; 场效应管的三种基本接法共源、共漏和共栅分别与双极型晶体管的共射、共集和共基对应，相应的输出量与输入量之间的大小和相位关系一致。可以实现反相电压放大、电压跟随、电流跟随的功能。; 1. 已知场效应管的三个电极电位，会判断管子工作在何种状态。 2.共源、共漏基本放大电路的静