脱硫石膏含水率高的原因分析与控制措施.docVIP

脱硫石膏含水率高的原因分析与控制措施.doc

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脱硫石膏含水率高的原因及处理 汪成祥 国电铜陵发电有限公司运行部 摘 要: 通过对国电铜陵发电有限公司脱硫系统石膏含水率偏高原因的分析,找出了从石膏结晶到脱水全过程中存在的各种问题,并针对存在的问题采取了有效的措施,使石膏含水率高的问题得到了根本性的解决。 国电铜陵发电有限公司一期工程2×600MW 机组,采用湿法脱硫技术,同步建设烟气脱硫装置, 于2008 年7、9 月相继投产。投产之后2套脱硫系统的石膏含水率经常大于10% 的设计要求, 正常都在10%~13% ,最高达到15%, 影响了石膏的品质和销售。为此从脱硫整个流程进行了分析,对脱硫参数进行控制和调整, 对相关设备进行了改进, 现在石膏的含水率一直稳定在10%以内。石膏含水率高是脱硫系统较常见的问题, 其影响因素较多, 国电铜陵发电有限公司的做法对解决石膏含水率高的问题具有一定的借鉴作用。 1 湿法脱硫系统石膏生成及脱水的工艺流程 烟气中的SO2 和石灰石浆液中的CaCO3 在吸收塔内反应生成CaSO3·1/2H2O, 再经氧化生成CaSO4·2H2O, CaSO4·2H2O经结晶后形成晶体, 然后含有CaSO4·2H2O 晶体的吸收塔浆液被打到石膏旋流器进行一级脱水, 石膏旋流器底流的石膏浆液进入真空皮带脱水机进行二级脱水, 脱水后的石膏进行销售, 按照设计石膏含水率应控制在10%以内。 2 影响石膏含水率的主要因素 (1) 石膏浆液中杂质过多。杂质主要指飞灰以及石灰石中带来的杂质等, 这些杂质干扰了吸收塔内化学反应的正常进行, 影响了石膏的结晶和大颗粒石膏晶体的生成;另一方面杂质夹在石膏晶体之间, 堵塞了游离水在石膏晶体之间的通道, 使石膏脱水变得困难。 (2) 石膏浆液中CaCO3或CaSO3·1/2H2O过多。这是吸收塔内PH 值控制不好以及氧化不充分所致。若PH 值过高, 则石膏中的CaCO3 就会增加, 一方面导致浆液品质恶化脱水困难, 一方面又不经济。 如果生成的CaSO3·1/2H2O得不到充分的氧化,会导致石膏中CaSO3·1/2H2O含量过高, 脱水困难。600MW机组在负荷500MW以上,含硫量达脱硫保证效率的1%时,即容易发生CaSO3·1/2H2O氧化不足,吸收塔浆液起泡溢流现象,石膏脱水困难。 (3) 废水系统异常投运, 系统中杂质无法排出。 脱硫系统中排出的废水取自废水旋流器的溢流, 主要为飞灰、石灰石中带来的杂质以及未溶的石灰石。由于这些杂质大多质量相对较轻, 当石膏浆液流到皮带机滤布上时, 较轻的杂质漂浮在浆液的上部, 并且颗粒较石膏颗粒细且粘性大, 因此石膏饼表面常被一层呈深褐色物质覆盖, 这层物质手感很黏,且很快会析出水分。如果废水系统不能正常投用, 系统中杂质就会累积, 导致石膏脱水越来越困难。为了维持脱硫系统的氯离子等的平衡,需要定时从旋流器排出废水。 试验表明,脱硫石膏的含水率随浆液中氯离子含量的增大整体呈上升趋势。在氯离子含量为0~3 000 mg/L范围内时,石膏含水率随氯离子含量的增大而急剧上升;在氯离子含量为3000~12000 mg/L范围内时,石膏含水率的上升趋势有所减缓;在氯离子含量为12000~16000 mg/L时,石膏含水率不再上升。 氯离子影响脱硫石膏脱水的机制有以下几点: ①氯离子与溶液中的钙离子结合成稳定的CaCl2·4H2O,把一定量的水留在了石膏晶体内部,造成石膏含水率的上升;②氯离子的存在还会影响石膏结晶过程,使石膏晶格发生畸变,产生出更多的晶核,晶体多样化不利于其脱水;③一部分氯离子和浆液中存在的少量钙离子形成氯化钙,留在石膏晶粒和晶粒之间,堵塞了游离水在结晶体之间的通道,使石膏脱水变得困难。 (4) 石膏浆液过饱和度控制不好, 导致结晶颗粒过细或出现针状及层状晶体。石膏晶体最好形成为粗颗粒(大小为100μm及以上)和棱形结构而非层状和针状结构。因为层状尤其是针状晶体有结成块的趋势,并形成毡状结构,非常难脱水。 (5) 煤种硫分偏高导致烟气脱硫装置( FGD) 进口烟气中含硫量超标。如果进口烟气中SO2 的含量严重超标, 会带来两方面负面影响: 一方面导致CaSO3·1/2H2O氧化不充分;另一方面也导致石膏晶体结晶的时间过短, 不能生成大颗粒的石膏晶体, 从而脱水因难。 (6) 吸收塔浆液或石膏浆液的含固量达不到要求。吸收塔浆液的含固量达不到要求, 则直接导致石膏旋流器底流出来的石膏浆液含固量偏低。而如果石膏浆液含固量达不到要求, 则直接影响脱水效果。 (7)一级脱水效果不好。如石膏浆液旋流器压力偏低等。 (8) 真空皮带机达不到脱水要求。具体原因有浆液分配槽分配不均、皮带机跑偏、真空皮带机处管道漏真空、气液分离罐到真空泵的管道结垢堵塞或滤布孔径过小等。如果皮带机跑偏,将导致皮带抽真

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