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半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 西安电子科技大学 微电子学院 第三章 半导体中的平衡与非平衡载流子 3.1 导带电子浓度与价带空穴浓度 3.2 本征载流子浓度与本征费米能级 3.3 杂质半导体的载流子浓度 3.4 简并半导体及其载流子浓度 3.5 非平衡载流子的产生与复合 准费米能级 3.6 非平衡载流子的寿命与复合理论 3.1 导带电子浓度与价带空穴浓度 要计算半导体中的导带电子浓度，必须先要知道导带中能量间隔内有多少个量子态。 又因为这些量子态上并不是全部被电子占据，因此还要知道能量为的量子态被电子占据的几率是多少。 将两者相乘后除以体积就得到区间的电子浓度，然后再由导带底至导带顶积分就得到了导带的电子浓度。 一、状态密度 导带和价带是准连续的，定义单位能量间隔内的量子态数为状态密度 1. k空间量子态密度 kx，ky，kz在空间取值是均匀分布的，k空间每个允许的 k值所占体积为 ，那么允许k值的密度为 1/(1/V)=V 。 由于每个k值可容纳自旋方向相反的两个电子，所以考虑自旋k空间电子的量子态密度是2V。 2. 状态密度 Si、Ge在导带底附近的E(k)~k关系为 则导带底（附近）状态密度为 二、Fermi分布函数 热平