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外延基础知识 基本概念 同质结：组成PN结的P型区和N型区是同种材料。（如红黄光中的：GaAs上生长GaAs,蓝绿光中：U(undope)－GaN上生长N(dope)－?GaN） 异质结：两种晶体结构相同，晶格常数相近，但带隙宽度不同的半导体材料生长在一起形成的结，称为异质结。（如蓝绿光中：GaN上生长Al GaN） 超晶格（superlatic）：由两种或两种以上组分不同或导电类型各异的超薄层（相邻势阱内电子波函数发生交迭）的材料，交替生长形成的人工周期性结构，称为超晶格材料。 量子阱(QW)：通常把势垒较厚，以致于相邻电子波函数不发生交迭的周期性结构，称为量子阱（它是超晶格的一种）。 半导体 固体按其导电性分为导体、半导体、绝缘体。 对于被电子部分占满的能带，在外电场作用下，点子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，形成了电流，起导电作用，常称这种能带为导带。 绝缘体、半导体和导体的能带示意图 导带半满带导带 导带 半满带 导带 禁带 禁带 禁带 满带价带价带 满带 价带 价带 (a)绝缘体 (b)半导体 (c)导体 分类：元素半导体：Si 、Ge 化合物半导体：GaAs、InP、GaN(Ⅲ-Ⅴ)、ZnSe(Ⅱ-Ⅵ) 、SiC 化合物半导体优点： 调节材料组分易形成直接带隙材料，有高的光电转换效率。（光电器件一般选用直接带隙材料） 高电子迁移率。 可制成异质结，进行能带裁减，易形成新器件。 半导体杂质和缺陷 杂质：替位式杂质（有效掺杂） 　　　间隙式杂质 缺陷：点缺陷：如空位、间隙原子 　线缺陷：如位错 　面缺陷：（即立方密积结构里夹杂着少量六角密积）如层错 外延技术 LPE：液相外延，生长速率快，产量大，但晶体生长难以精确控制。（普亮LED常用此生长方法） MOCVD（也称MOVPE）：Metal Organic Chemical Vapour Deposition金属有机汽相淀积,精确控制晶体生长，重复性好，产量大，适合工业化大生产。 HVPE：氢化物汽相外延，是近几年在MOCVD基础上发展起来的，适应于Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体薄膜和超晶格外延生长的一种新技术。生长速率快，但晶格质量较差。 MBE：分子束外延，可精确控制晶体生长，生长出的晶体异常光滑，晶格质量非常好，但生长速率慢，难以用于工业化大生产。 MOCVD设备 发展史：国际上起源于80年代初，我国在80年代中（85年）。 国际上发展特点：专业化分工，我国发展特点：小而全，小作坊式。 技术条件：a.MO源：难合成，操作困难。 　　　b.设备控制精度：流量及压力控制 　　　c.反应室设计：Vecco:高速旋转 　　Aixtron:气浮式旋转 　　Tomax Swan :CCS系统（结合前两种设备特点） Nichia:双流式 MOCVD组成 MO源 MO源 载气（H2和N2） 特气 气控单元 反应室 尾气处理器 大气 控制单元 PC机 衬底 常用MO源：TMGa(三甲基镓，液态) TMAl（三甲基铝，液态） TMIn（三甲基铟，固态，现已有液态） TEGa（三乙基镓，液态） Cp2Mg（二茂基镁，固态，现已有液态） 载气为纯度很高（99.999999%）的氢气和氮气 特气：高纯度（99.9999%）的AsH3(砷烷，液态)PH3（磷烷，液态）Si2H6（乙硅烷，气态）（前三种为红黄光生产使用）NH3（氨气，液态）SiH4（硅烷，气态）（后两种为蓝绿光生产使用） 气控单元：主要由MFC（流量计）、PC（压力计）和一些管道组成，用于气体的控制和输送。 控制单元：根据PC机输入的生长程序，对工艺进行控制。 反应室：a.按压力分可分为常压反应室（如Nichia公司的设备）和低压反应室（如Veeco和Aixtron公司的设备）。两者区别：气体流速。低压反应室优点：气体切换快，停滞层薄，预反应小，界面转换快。B.按形状分：水平式（Aixtron）、立式（Vecco和Tomax Swan）、桶式（常用于Si外延）和双流式（Nichia）。 衬底：红黄光生长用GaAs(砷化镓)，蓝绿光生长用Al2O3(蓝宝石)（最通用）、SiC（Cree）和GaAs(砷化镓)、Si(硅)（后两种仍处于实验室阶段）等。 尾气处理器：主要用于生长后的废气处理，使其达到无污染排放。红黄光生长产生尾气用化学尾气处理器处理，蓝绿光生长产生的尾气用湿法尾气处理器处理。 LED的MOCVD外延生长 基本反应： 红黄光：TMGa+AsH3 GaAs+CH4 TMGa+PH3 GaP+CH4 蓝绿光：TMGa+ NH3 GaN+CH4 反应特点：a.远离化学平衡：Ⅴ