模电-课件4.1-4.4-场效应管.pptVIP

BJT是以输入电流控制输出电流，是电流控制器件，组成的放大电路输入电阻不高。 FET是以输入电压控制输出电流，是电压控制器件，输入电阻非常高，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率。温度稳定性好，抗辐射能力强，噪声低，制造工艺简单，广泛应用于超大规模集成电路中。 场效应管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 VGS对漏极电流的控制关系可用 ID=f(VGS)?VDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图4.6。 图4.6 VGS对漏极电流的控制特性 ——转移特性曲线 (2)N沟道耗尽型MOSFET 当VGS＞0时，将使ID进一步增加。VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示，有时也用VP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线如图4.9(b)所示。 (a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 图4.9 N沟道耗尽型MOSFET的结构 和转移特性曲线 (3)P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 4.2 结型场效应管 4.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 4.2.2 结型场效应管的特性曲线 4.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 (1)结型场效应管的结构 JFET的结构如图4.1所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 图4.1 结型场效应三极管的结构 (2) 结型场效应管的工作原理 根据结型场效应管的结构，因它没有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，对于N沟道结型场效应管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区。 4.2.2 结型场效应管的特性曲线 JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线， 二是输出特性曲线。它与MOSFET的特性曲线基本 相同，只不过MOSFET的栅压可正、可负，而结型 场效应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的 为负。JFET的特性曲线如图4.4所示。 4.3 各类场效应管伏安特性曲线比较 场效应三极管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道的不同，以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。如果按统一规定正方向，特性曲线就要画在不同的象限。为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定。有关曲线绘于图4.10之中。 4.4 场效应管的参数和型号 (1) 场效应管的参数 ① 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ④ 输入电阻RGS 场效应管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应管, RGS约是109～1015Ω。 (2) 场效应管的型号 场效应管的型号, 现行有两种命名方法。其 一是与双极型管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是N沟道；C是P沟道。如，3DJ6D是结型N沟道场效应管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应管。 几种常用的场效应管的主要参数见表4.1。 半导体三极管图片 场效应管图片 双极型和场效应型管的比较 双极型三极管 场效应管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道