二极管和晶体管8051.pptVIP

晶体管参数与温度的关系 1. 温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优于 锗管。 2.温度每升高1?C，UBE将减小–(2～2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。 3. 温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 学习与探讨 晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区的掺杂质浓度很高，集电区的掺杂质浓度较低，这样才使得发射极有较大的扩散电流，如果互换其效果将明显不同。 晶体管的发射极 和集电极能否互 换使用？为什么? 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，UCEUBE，集电结也处于正偏，这时内电场大大削弱，这种情况下极不利于集电区收集从发射区到达基区的电子，因此在相同的基极电流IB时，集电极电流IC比放大状态下要小很多，可见饱和区下的电流放大倍数不再等于β。 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于β？ 发射区扩散过来的自由电子在基区与其多数载流子空穴复合形成基极电流，未被复合掉的自由电子将被集电结收集过去形成集电极电流。所以，在基区被复合掉的自由电子越多则集电极电流越小，即β就越小。因此，为了获得较大的β值，就需要将基区做薄、空穴稀薄。 为什么晶体管基区掺杂质浓度小？而且还要做得很薄？ 例4： P34 14.5.9 分析各晶体管工作于何种状态？ +12V 1 k? T 50 k?