- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
热电材料与温差发电器
热电效应
赛贝克效应
帕尔帖效应
汤姆逊效应
赛贝克效应——热电第一效应
赛贝克效应(Seebeck effect):
由德国科学家Seebeck于1821年发现
两种不同材料AB组成的回路,且两端接触点温度不同时,则在回路中存在电动势的效应
不同的金属导体(或半导体)具有不同的自由电子密度,当两种不同的金属导体相互接触时,在接触面上的电子就会扩散以消除电子密度的差异。而电子的扩散速率与接触区的温度成正比,所以只要维持两金属间的温差,就能使电子持续扩散,在两块金属的另两个端点形成稳定的电压.
导体两端的电势差:
帕尔帖效应——热电第二效应
帕尔贴效应(Peltier effect):
由法国科学家珀尔帖于1834年发现
起源于载流子在构成回路的两种导体中的势能差异。当载流子从一种导体通过接头处进入另一种导体时,需要在接头附近与晶格发生能量交换,以达到新的平衡,从而产生吸热与放热现象。
两种不同材料组成的电回路在有直流电通过时,两个接头处分别发生了吸放热现象
Peltier系数 𝜋𝑎𝑏, 单位 W/A,V
汤姆逊效应——热电第三效应
由汤姆逊于1856年发现
当单一导体或半导体在两端有温差以及有电流通过时,会在此导体或半导体上产生吸热或放热的现象
Thomson效应的起因与Peltier效应非常类似,不同之处在于:
在Peltier效应中,载流子的势能差异是构成回路的两导体中载流子势能不同所致,而在Thomson效应中,载流子的能量差异是由温度梯度引起的。
β Thomson系数,单位V/K
热电转化效率与输出功率
热电转化效率:
定义:
输出电功率:
热端吸收的热量:
帕尔贴热+传导热-焦耳热
令
热电优值
热电转化效率
热电转化效率的影响因素:
热端与冷端温度
热电优值
单一热电材料的优值Z:
评价某一热电材料的质量标准
Z值有量纲,单位为K-1.
无量纲ZT值
α 赛贝克系数
σ 电导率
k 热导率
Z 值越高,材料性能越好
较好的热电材料必须具有较大的Seebeck系数和电导率,同时应有较小的热导率
热电材料的发展
金属及其合金:
电导率高,但根据Wedman一Franze定律,其热导率与电导率之比为常数,而绝大多数金属的seebeck系数只有10μV/K左右,所以由由金属制成的温差电材料性能比较差;
ZT 一直小于1;
半导体热电材料:
随着20世纪50年代半导体材料的研究而兴起;
一些半导体材料的seebeck系数可高于100μV/K;
利用两种以上的半导体形成固溶体,可以有效提高σ/κ;
ZT 接近并超过1;
Bi2Te3类材料
普冷温区(热面温度400℃)
PbTe类材料
中温区(热面温度400-500 ℃)
SiGe合金类材料
高温区(700 ℃以上)
热电材料的应用:
热电偶测温、半导体制冷、温差发电(太阳能聚焦光电热电同步发电、微燃料燃烧、放射性同位素温差发电、核反应堆温差发电、工业余热、汽车余热)
热电材料及器件的特点:
无运动部件(除了电子、空穴和晶格振动或者说是声子的运动以外就没有部件的运动);
无流体介质(如冰箱里用氟利昂作为介质);
无噪声无污染;
无磨损免维护;
热电转化效率偏低,不到10%;
要想让热电器件广泛应用于商业,热电材料的ZT值必须接近于3
温差发电器
温差发电器的构成:
整个发电器中要使热源、温差电组件、散热器之间相互电绝缘,在热路上同时要保证有最小的热阻;
根据热源的类型和所能达到的最高温度选择合适的温差电材料与组件;
根据温差发电器的应用环境和其他条件选择合适的冷端散热方式;
温差发电器的整体应具有一定的机械强度,应具有较高的抗冲击振动能力;
温差发电器
温差发电单体与组件:
平板型Bi2Te3温差电组件
温差发电器
美国所研制的RTG结构:
1-同位素热源,2-温差电换能器,3-绝热材料,4-外壳,5-输出接头,6-密封接头
图 Angel- RTG结构示意图
平板结构,温差电元件安装在热源一侧
安装方便,成本较低,但热量利用率较低
使用碲化铋温差电组件,热面工作温度约在200℃
图 PbTe-RTG结构示意图
1-热源,2-温差电元件,3-传热轴,4-框架,5-外壳,6-散热片
美国所研制的RTG结构:
已经成功地用于Snap-3、Snap-19、Snap-27等放射性同位素温差发电器中;
PbTe基温差电材料,热面工作温度约在400℃;
热源置于发电器中心轴,温差电元件分列式辐射状排列在柱体状热源周围;
用弹簧-活塞-调整扣组成冷端组合体,温差电单体上加加弹簧压力负载。内部填充低热导率的绝热材料;
发电器内部充氩气或混合惰性气体(氪-氢或氦-氩混合气)以抑制温差电材料升华;
美国所研制的RTG结构
文档评论(0)