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*;*;*;铜多晶试样拉伸后形成的滑移带, 173×;(2)滑移线和滑移带
滑移带(slip band)是由一系列相互平行更细的线组成的。这些线为滑移线(slip line)。滑移线实际上是在晶体表面产生的小台阶。;(3)滑移系;体心立方和面心立方晶体的滑移系;结论: ①滑移与滑移面密排程度和滑移方向个数有关;滑移面和滑移方向往往是金属晶体中原子排列的最密排面和最密排晶向。如fcc:{111}110;bcc:{110}、{112}和{123} 111;hcp:{0001}
原因是由于最密排面的面间距最大,因而点阵阻力最小,容易发生滑移,而沿最密排方向上的点阵间距最小,从而使导致滑移的位错的柏氏矢量也最小。
;*;由于体心立方结构是一种非密排结构,其滑移面并不稳定,一般在低温时多为{112},中温时多为{110},而高温时多为{123},不过其滑移方向很稳定,总为111,因此其滑移系可能有12~48个。;常见金属晶体结构的滑移系;(4)滑移的临界分切应力(τk);计算方法(计算分切应力的分析图):
对一个单晶圆柱体(截面积为A)试样作拉伸试验,滑移面的面积A/cosφ,作用在此滑移面上的力Fcosλ,作用在滑移面上的分切应力τ=Fcosφcosλ/A. 分切应力τ作用在滑移方向使晶体产生滑移,F/A为σs,则:
cosφcosλ为取向因子(orientation factor),该值越大,τ越大,越有利于滑移。;*;*;*;(5)滑移时晶体的转动; 压缩时,滑移面逐渐趋于与压力轴线方向垂直。
滑移时不仅滑移面发生转动,而滑移方向也逐渐改变,滑移面上的分切应力也随之改变。φ=45o时分切应力最大。
滑移时晶体发生转动,使晶体各部分相对外力的取向不断改变,各滑移系的取向因子也发生变化。;拉伸时晶体转动机制示意图;(6)多系滑移和交滑移; 如fcc中滑移系:{111}110,4个{111}面构成一个八面体,当拉力轴为[001]时,由图中可以得出:
① 对所有的{111}面,角都是相同的,为54.7o。
②λ角对[T01]、[101]、[011]、[0T1]也是相同的,为45o。
③锥体底面上的两个110方向与[001]垂直,则8面体上有4×2=8个取向因子相同的滑移系,当τ=τk时可同时开动。但这些滑移系由不同的滑移面和滑移方向构成,滑移时发生交互作用,产生割和反应。; 等效滑移系:各滑移系的滑移面和滑移方向与力轴夹角分别相等的一组滑移系。
发生多系滑移时,在抛光表面看到不止一组的滑移线,而是两组或多组交叉的滑移线。
由于多个滑移系开动,位错交截产生割阶及位错带着割阶运动等原因使位错运动阻力增加,因而强度也增加。; 交滑移(cross-slip):指两个或多个滑移面共同沿着一个滑移方向的交替滑移的现象。
交滑移的实质是螺位错在不改变滑移方向的情况下,从一个滑移面滑到交线处,转到另一个滑移面的过程。
交滑移形成的滑移线(带)是折线形状。交滑移不是几个面“同时”滑动,而是“顺序”滑动。; 对低层错能材料,位错很难交滑移,位错运动是平面型的,称平面滑动。对高层错能材料,位错容易交滑移,滑移线呈波纹状,称波纹滑动。交滑移容易与否,对材料的应变硬化有很大的影响。
层错能越低,位错不易通过交滑移越过遇到的障碍,从而加大了应变硬化。
bcc结构中最易发生交滑移。
注意单滑移、多系滑移和交滑移的区别? ; 单滑移为单一方向的滑移带; 多滑移为相互交叉的滑移带;交滑移为波纹状的滑移带。;(7) 滑移中的位错机制;刃位错的滑移示意图; 2.孪生
(1) 孪生变形:是在切应力作用下,晶体的一部分沿一定晶面(孪晶面:twining plane)和一定方向(孪生方向;twining direction)相对于另一部分作均匀的切变(协同位移)所产生的变形。但是不同的层原子移动的距离也不同。变形与未变形的两部分晶构成镜面对称,合称为孪晶(twin)。均匀切变区与未切变区的分界面称为孪晶界。
在金相显微镜下一般呈带状,称为孪晶带。;*;*;*;(1012)[1011];(2) 孪生的特点;*;镁;*; 孪生变形与晶体结构类型有关。hcp中易发生,因孪生往往在滑移困难时出现,而六方晶系的滑移系很少。层错能低的fcc一般不易出现孪晶,其原因是滑移系多,而孪晶应变大,但在极低温度下会产生。
②生长孪晶:晶体自气态、液态,或固体中长大时形成的孪晶。
③退火孪晶:形变金属在其再
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