- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
基于 1ED020I12FA 的汽车级 IGBT 模块驱动电路
Automotive Gate Driver circuit base on 1ED020I12FA
荣睿 英飞凌集成电路(北京)有限公司
何耀华 英飞凌科技(中国)有限公司
来源: 电子产品世界
关键词:1ED020I12FA,电动汽车,门极驱动电路,IGBT 短路保护,电压尖峰抑制,有源电压箝位
摘要:本文设计一套基于英飞凌 1ED020I12FA 的汽车级 IGBT 模块驱动电路。所有电子原件全部采用
符合 AEC-Q100/101/200 汽车认证的产品,使之满足 EV/HEV 的需要。包括电路功能说明、layout 要点、
重点器件的计算选型方法、电路使用注意事项以及整套电路完整料号的材料清单。
1 电路结构框图
本设计采用模块化设计,主要分为低压信号模块电路,驱动输出高压电路,和 IGBT 电路,主要 IC
为英飞凌 1ED020I12FA,IGBT 为英飞凌 HybridPACK2。图 1 以 U 相为例介绍总图结构。
图 1:电路结构框图
2 . 1ED020I12FA 及其低压信号部分电路相关说明
图 2:1ED020I12FA 及其低压信号部分电路
2.1 功能说明
如图 2 半桥的上臂和下臂各用一片 1ED,IN+作为 PWM 信号的输入脚与对应的另一个 1ED 芯片的
IN-连接作为互锁,硬件上没有包含死区电路。RDY 和 FLT 脚连在一起经过与门送出一个总故障,4,7k
上拉电阻和 10n 电容保证信号的可靠性和抗干扰能力,与门输出放一个 0603 封装 LED 作为故障指
示,方便试验和调试,没有实际的电气作用。RST 引脚经过各自的 RC 滤波电路后连接在一起,共用
一个总复位。
2.2 PCB layout 要点
RST,RDY 和 FLT 作为敏感信号容易受到干扰而误动作,因此需把滤波电容放在贴近芯片引脚的位
置。RDY 和 FLT 的引线要尽量短,后面的与门是个只有TSSOP5 封装的 IC,非常容易放在芯片附近。
图中C5,C9 应尽量贴近 18 脚和 20 脚。
3 . 1ED020I12FA 输出部分电路相关说明
图3 :1ED020I12FA 输出部分电路
3.1 功能说明
如图 3 为了适应 HybridPACK2 开关要求,选择开通电阻大约 2.5 欧,关断电阻 3 欧的设计,因此
需要采用 push-pull 结构放大门极峰值电流。采用有源电压箝位电路防止关断 IGBT 时的 Vce 过冲导
致 IGBT 失效。同时使用三极管作为推挽结构,可以有效的增强有源电压箝位对电压尖峰的抑制效果,
具体见参考文献 1。D1,D6 作为箝位二极管,对敏感信号进行保护。D9,D11 箝位门极电压以防门
极电压过高而击穿。
3.2 PCB layout 要点
门极电阻布置见图4 ,因为需要较好散热所以选用电阻并联再串联的方式,方便布局布线和散热。
图4 门极电阻的布置
图 3 中粗线部分会走过较大电流,母线宽度大于 1mm,尽量宽一些。D3,D4,D5,D8 承受 Vce 电压,
所以应使 C 点到 R10 和 R13 保持足够的距离,以防爬电。D12 应靠近 IGBT 模块 GE 引脚,起到最好
的吸收效果。D1,D6 靠近芯片 Desat 引脚。
3.3 重点器件选型
C10 作为控制保护延迟时间的重要电容,应选择 C0G 材料的电容,建议根据系统响应情况,选择
100p 左右的电容,考虑对未来后续版本 1ED020I12FA2 的使用,可以选择 200p 左右的电容,前提是
IGBT 保护的延迟时间应小于 10us。D1,D6,D17 因箝位电流较小,选用英飞凌的 BAT165。D7,D9,D10
冲击电流较大选用了 Vishay 的 ES1PDHM3。R11,R12,R13 作为限流电阻需根据系统实际情况进行短路
测试后选定合适的值。门极电阻功率根据公式 1 进行计算,详见参考文献 3 。按照最大 15kHz 开关
频率计算,门极电阻功率约为 2.2W,按照 1/3 标称功率选择 7 个 2010 的 1W 高功率电阻平分热量。
经过计算得到 R1,R18,R20 值为 3.9 欧,总功率 2.2W 时每个电阻耗散功率 0.31W ,R14,R16,R19,R21
值为 6.8 欧,总功率 2.2W 时每个电阻耗散功率 0.31W 。在正电源和负电源端各并联两个4.7uF X7R
的电容,
文档评论(0)