场效应管工作原理与应用.pptxVIP

3.2 结型场效应管;概 述;3.1　MOS 场效应管;; N 沟道 EMOS 管外部工作条件; N 沟道 EMOSFET 沟道形成原理; VDS 对沟道的控制(假设 VGS VGS(th) 且保持不变); 当 VDS 增加到使 VGD ? = VGS(th) 时 → A 点出现预夹断; 若考虑沟道长度调制效应; MOS 管仅依靠一种载流子(多子)导电，故称单极型器件。;　　由于 MOS 管栅极电流为零，故不讨论输入特性曲线。 ; NEMOS 管输出特性曲线;数学模型：; 饱和区;数学模型：;;　　由于 MOS 管 COX 很小，因此当带电物体(或人)靠近金属栅极时，感生电荷在 SiO2 绝缘层中将产生很大的电压 VGS(= Q /COX)，使绝缘层击穿，造成 MOS 管永久性损坏。; NEMOS 管转移特性曲线; 衬底效应; P 沟道 EMOS 管;3.1.2　耗尽型 MOS 场效应管; NDMOS 管伏安特性;3.1.3　四种 MOS 场效应管比较; 饱和区(放大区)外加电压极性及数学模型; 临界饱和工作条件; FET 直流简化电路模型(与三极管相对照) ;3.1.4　小信号电路模型; MOS 管跨导; 计及衬底效应的 MOS 管简化电路模型; MOS 管高频小信号电路模型;　　场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似，可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。; MOS 管截止模式判断方法;例 1　已知 ?nCOXW/(2l) = 0.25 mA/V2，VGS(th)= 2 V，求 ID 。; 小信号等效电路法;3.2　结型场效应管; N沟道 JFET 管外部工作条件; VGS 对沟道宽度的影响; VDS 很小时 → VGD ? VGS; 当 VDS 增加到使 VGD ? = VGS(off) 时 → A 点出现预夹断;　　利用半导体内的电场效应，通过栅源电压 VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流 ID。; NJFET 输出特性; 饱和区(放大区); 截止区; JFET 转移特性曲线;　　JFET 电路模型同 MOS 管相同。只是由于两种管子在饱和区数学模型不同，因此，跨导计算公式不同。; 各类 FET 管 VDS、VGS 极性比较 ; 场效应管与三极管性能比较 ; N沟道 EMOS 管 GD 相连 ? 构成有源电阻; N 沟道 DMOS 管 GS 相连?构成有源电阻; 有源电阻 ? 构成分压器;;PPT模板下载：/moban/ 行业PPT模板：/hangye/ 节日PPT模板：/jieri/ PPT素材下载：/sucai/ PPT背景图片：/beijing/ PPT图表下载：/tubiao/ 优秀PPT下载：/xiazai/ PPT教程： /powerpoint/ Word教程： /word/ Excel教程：/excel/ 资料下载：/ziliao/ PPT课件下载：/kejian/ 范文下载：/fanwen/ 试卷下载：/shiti/ 教案下载：/jiaoan/ PPT论坛： ;PPT模板下载：/moban/ 行业PPT模板：/hangye/ 节日PPT模板：/jieri/ PPT素材下载：/sucai/ PPT背景图片：/beijing/ PPT图表下载：/tubiao/ 优秀PPT下载：/xiazai/ PPT教程： /powerpoint/ Word教程： /word/ Excel教程：/excel/ 资料下载：/ziliao/ PPT课件下载：/kejian/ 范文下载：/fanwen/ 试卷下载：/shiti/ 教案下载：/jiaoan/ PPT论坛： ;研究背景;研究背景;PART TWO;基本概念;基本概念;PART THREE;理论研究;理论研究;PART FOUR;试验方法;试验方法;试验方法;PART FIVE;实际应用;;PART SIX;未来展望;