大尺寸MAPbI单晶的制备及光电性能研究-光子学报.PDFVIP

大尺寸MAPbI单晶的制备及光电性能研究-光子学报.PDF

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第 卷第 期 光 子 学 报 47 9 Vol.47No.9 年 月 2018 9 Setember2018 ACTAPHOTONICASINICA p : / doi10.3788 zx0916004 g 大尺寸MAPbI单晶的制备及光电性能研究 3 , 12 1 1 2 2 , , , , 张婵婵 张方辉 丁利苹 朱晓婷 李荣金 ( , ) 1陕西科技大学 电气与信息学院 陕西省平板显示技术工程研究中心 西安 710071 ( , ) 2天津大学 理学院 天津市分子光电科学重点实验室 天津 300072 : ( ) , 摘 要 采用两步气相沉积法制备了大尺寸 左右 高质量的 单晶 并通过对衬底表面 150 m MAPbI μ 3 、 、 修饰来调控晶体的成核位置 从衬底温度 载气流速 时间效应等方面系统探究了影响 晶体生长的 . PbI 2 : 、 、 因素 结果表明 该晶体生长的最优条件分别对应为 将 单晶放置在空 . 350℃ 20sccm 20min. MAPbI 3 4 , , , 气中 天后 其 衍射特征峰没有明显变化 最后分析该器件的光电特性 发现其开关比高达 响 50 X . 10 4

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