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1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用 UGS 由零逐渐减小，耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。 ID = 0 G D S P+ P+ N型沟道 (b) UGS(off) UGS 0 VGG 第四版童诗白 1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用 当 UGS = UGS（Off)，耗尽层合拢，导电沟被夹断. ID = 0 G D S P+ P+ (c) UGS ＜UGS(off) VGG UGS(off)为夹断电压,为负值。UGS(off) 也可用UP表示 第四版童诗白 2. 当uGS 为UGS（Off)~0中一固定值时,uDS 对漏极电流iD的影响。 uGS = 0，uGD UGS（Off) ， iD 较大。 G D S P+ N iS iD P+ P+ VDD VGG uGS 0，uGD UGS（Off) ， iD 更小。 G D S N iS iD P+ P+ VDD 　　注意：当 uDS 0 时，耗尽层呈现楔形。 (a) (b) uGD ＝ uGS －uDS 第四版童诗白 G D S P+ N iS iD P+ P+ VDD VGG uGS 0,uGD = UGS(off), 沟道变窄预夹断 uGS 0 ,uGD uGS(off),夹断， iD几乎不变 G D S iS iD P+ VDD VGG P+ P+ 改变 uGS ，改变了 PN 结中电场，控制了 iD ，故称场效应管； (2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使 PN 反偏，栅极基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。 (c) (d) 第四版童诗白 3.当uGD uGS(off)时 , uGS 对漏极电流iD的控制作用 场效应管用低频跨导gm的大小描述栅源电压对漏极电流的控制作用。 场效应管为电压控制元件(VCCS)。 在uGD ＝ uGS －uDS uGS(off),当uDS为一常量时，对应于确定的uGS ，就有确定的iD。 gm=?iD/?uGS (单位mS) 第四版童诗白 小结 (1)在uGD ＝ uGS －uDS uGS(off)情况下, 即当uDS uGS -uGS(off) 对应于不同的uGS ，d-s间等效成不同阻值的电阻。 (2)当uDS使uGD ＝ uGS(off)时，d-s之间预夹断 (3)当uDS使uGD uGS(off)时， iD几乎仅仅决定于uGS ， 　而与uDS 无关。此时， 可以把iD近似看成uGS控制的电流源。 第四版童诗白 二、结型场效应管的特性曲线 1. 转移特性(N 沟道结型场效应管为例) O uGS iD IDSS UGS(off) 图 1.4.6　转移特性 uGS = 0 ，iD 最大；uGS 愈负，iD 愈小；uGS = UGS(off) ，iD ? 0。 两个重要参数 饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的 ID) 夹断电压 UGS(off) (ID = 0 时的 UGS) UDS iD VDD VGG D S G V ? + V ? + uGS 　特性曲线测试电路 + ? mA 第四版童诗白 转移特性 O uGS/V ID/mA IDSS UP 图 1.4.6　转移特性 2. 输出特性曲线 　 当栅源 之间的电压 UGS 不变时，漏极电流 iD 与漏源之间电压 uDS 的关系，即 结型场效应管转移特性曲线的近似公式： ≤ ≤ 第四版童诗白 IDSS/V iD/mA uDS /V O UGS = 0V -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和夹断区。 图 1.4.5(b)　漏极特性 输出特性（漏极特性）曲线 夹断区 UDS iD VDD VGG D S G V ? + V ? + uGS 图 1.4.5(a)特性曲线测试电路 + ? mA 击穿区 第四版童诗白 ＊　结型P 沟道的特性曲线 S G D 转移特性曲线 iD UGS（Off） IDSS O uGS 输出特性曲线 iD UGS= 0V + uDS + + o 栅源加正偏电压，(PN结反偏)漏源加反偏电压。 第四版童诗白 1.4.2　绝缘栅型场效应管 MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 1010 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽