模电-幻灯片4.1-4.4-场效应管.pptVIP

成为入党积极分子已经快要一年了，在这期间，我始终以党员的标准要求自己。在组织的关怀和党员的帮助下，我在思想上和实践上都取得了明显的进步 BJT是以输入电流控制输出电流，是电流控制器件，组成的放大电路输入电阻不高。 FET是以输入电压控制输出电流，是电压控制器件，输入电阻非常高，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率。温度稳定性好，抗辐射能力强，噪声低，制造工艺简单，广泛应用于超大规模集成电路中。 场效应管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 从场效应管的结构来划分，它有两大类。 1.结型场效应管JFET (Junction type Field Effect Transister) 2.绝缘栅型场效应管IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister) IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） D(Drain)为漏极，相当于c； G(Gate)为栅极，相当于b； S(Source)为源极，相当于e。 4.1 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 (1)N沟道增强型MOSFET ①结构 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，分别是漏极D，和源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。源极S 有时要和衬底B 连接。 （动画4-5） ②工作原理 1．栅源电压VGS的控制作用 当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 增加VGS，当VGS＞VGS(th) 时（ VGS(th) 称为开启电压)，由于此 时的栅极电压已经比较强，在靠近 栅极下方的P型半导体表层中聚集较 多的电子，可以形成沟道，将漏极 和源极沟通。如果此时加有漏源电 压，就可以形成漏极电流ID。 随着VGS的继续增加，ID将不断增加。 VGS对漏极电流的控制关系可用 ID=f(VGS)?VDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图4.6。 在VGS=0V时ID=0，只有当VGS＞VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。 图4.6 VGS对漏极电流的控制特性 ——转移特性曲线 转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压 对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，所以 gm也称为跨导。跨导的定义式如下 gm=?ID/?VGS? VDS=const (单位mS) (动画4-6） ID=f(VGS)?VDS=const 场效应管的转移特性可以用下面公式近似表示： 图4.8 漏极输出特性曲线 当VGS＞VGS(th)，且固定为某一值时， VDS对ID的影响， 即ID=f(VDS)?VGS=const，这一曲线称为漏极输出特性曲线。 2．漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 (2)N沟道耗尽型MOSFET 当VGS＞0时，将使ID进一步增加。VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示，有时也用VP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线如图4.9(b)所示。 N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图 4.9(a)所示，它是