摩尔定律与集成电路摩尔定律与集成电路-PCB.PDF

证券研究报告/行业研究 中投证券电子团队，行业趋势热点前瞻解析系列之十二 后摩尔时代：新器件和3D集成新方案，续写无限集成之梦想 电子首席分析师： 孙远峰(S0960516020001) 参与人： 张 雷(S0960116060029) 张 磊(S0960116030023) 耿 琛(S0960115100022) 中国中投证券有限责任公司研究总部 2016年9月20日 主要内容 • 摩尔定律，指引集成电路发展五十年 1 • 延续摩尔，硅基续挖掘潜力（FinFET/FDSOI等） 2 • 超越摩尔，芯片混合集成前景广阔（SoC/SiP等） 3 • 跨越硅基CMOS ，新器件有望续写辉煌 4 • 推荐和产业链相关标的 5 2 中投电子孙远峰团队 摩尔定律，指引集成电路发展五十年 摩尔定律与集成电路 摩尔定律与集成电路 ●摩尔发表在 《电子学》上的预测示意图  1965年4月19日，戈登摩尔通过对芯片上晶体 管数据的观察在 《电子学》杂志中大胆预测， 长 增 每隔18-24 个月，芯片上集成的晶体管数目就 数 指 会增加一倍，这个预测被称为摩尔定律。 呈 件 器 元  晶体管是集成电路的基本组成单元，集成电路 上 上晶体管数量成倍增长使芯片能够搭载越来越 路 电 复杂的电路系统，摩尔定律成为集成电路向小 成 集 型化、低成本化及高性能发展的最好诠释。 资料来源：Intel  在接下来的50余年中，全球约70%的半导体元  CMOS即互补金属氧化物半导体，采用CMOS 器件市场直接受到摩尔定律的影响，这70%的 工艺可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶 元器件主要包括三类：处理器、存储器和数字 体管（MOSFET)集成在一块硅片上，即将 逻辑电路，这三类集成电路都是大规模CMOS NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬 电路 ；相对而言，模拟信号IC