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光电效应 ---光电子和荧光X射线 光电效应1 激发K系光电效应时，入射光子的能量必须等于或大于将K电子从K层移至无穷远时所作的功WK，即 将激发限波长λK和激发电压VK联系起 ，即 式中VK以V为单位。（1－4）式和（1－11）式形式上非常相似，但物理意义完全不同。前者说明连续谱的短波限λ0随管电压的增高而减小，而后者说明每种物质的K激发限波长都有它自己特定的值。 从X射线激发光电效应的角度，称λK为激发限；然而，从X射线被物质吸收的角度，则称λK为吸收限。 光电效应2----- 俄歇效应 俄歇（Auger，M.P.）在1925年发现，原子中K层的一个电子被打出后，它就处于K激发状态，其能量为EK。如果一个L层电子来填充这个空位，K电离就变成L电离，其能量由EK变成EL，此时将释放EK-EL的能量。释放出的能量，可能产生荧光X射线，也可能给予L层的电子，使其脱离原子产生二次电离。即K层的一个空位被L层的两个空位所代替，这种现象称俄歇效应. 从L层跳出原子的电子称KLL俄歇电子。每种原子的俄歇电子均具有一定的能量，测定俄歇电子的能量，即可确定该种原子的种类，所以，可以利用俄歇电子能谱作元素的成分分析。不过，俄歇电子的能量很低，一般为几百eV，其平均自由程非常短，人们能够检测到的只是表面两三个原子层发出的俄歇电子，因此，俄歇谱仪是研究物质表面微区成分的有力工具。 光电效应2----- 俄歇效应 光电效应小结 光电子 被X射线击出壳层的电子即光电子,它带有壳层的特征能量,所以可用来进行成分分析(XPS) 俄歇电子 高能级的电子回跳,多余能量将同能级的另一个电子送出去,这个被送出去的电子就是俄歇电子带有壳层的特征能量(AES) 二次荧光 高能级的电子回跳,多余能量以X射线形式发出.这个二次X射线就是二次荧光也称荧光辐射同样带有壳层的特征能量 小结 散射 散射无能力损失或损失相对较小 相干散射是X射线衍射基础,只有相干散射才能产生衍射. 散射是进行材料晶体结构分析的工具 吸收 吸收是能量的大幅度转换,多数在原子壳层上进行,从而带有壳层的特征能量,因此是揭示材料成分的因素 吸收是进行材料成分分析的工具 可以在分析成分的同时告诉你元素价态 一束强度为I0的X射线束，通过厚度为H的物体后，强度被衰减为IH。 为了得到强度的衰减规律，现取离表面为x的一薄层dx进行分析。设X射线束穿过厚度为X的物体后，强度波衷减为，而穿过厚度为x＋dx的物质后的强度为I-dI，则通过dx厚的一层引起的强度衰减为dI。 实验证明，X射线透过物质时引起的强度衰减与所通过的距离成正比 X射线的衰减规律 X射线的衰减规律 对（1-12）式积分求出强度为I0的X射线从物体表面（即x＝0）穿透厚度H后的强度IH: IH＝I0exp(-μH) 式中IH/I0称穿透系数，而μ为线衰减系数。（1-13）式是X射线透视学的基本公式。 线衰减系数μ＝－1n（IH/I0）/H表示单位体积物质对X射线的衰减程度，它与物质的密度ρ成正比，即与物质的存在状态有关。现将（1-13）式改写成： IH＝I0e-(μ/ρ) ρH＝I0e-μmρH 式中μm＝μ/ρ称质量衷减系数， 其单位为cm2 ／g。 工作中有时需要计算i个元素组成的化合物、混合物、合金和溶液等的质量衰减系数μm。由于μm与物质的存在状态无关，因此衰减系数可按下式求得： μm=ω1μm1+ω2μm2+…ωiμmi X射线的吸收曲线 X射线通过物质时的衰减，是吸收和散射造成的。 如果用σm仍表示散射系数，τm表示吸收系数。在大多数情况下吸收系数比散射系数大得多，故μm≈τm。质量吸收系数与波长的三次方和元素的原子序数的三次方近似地成比例，因此 X射线的衰减 从荧光X射线的产生机理，可以解释图1－11中的吸收突变。当入射波长非常短时，它能够打出K电子，形成K吸收。但因其波长太短，K电子不易吸收这样的光子能量，因此衰减系数小。 随着波长的逐渐增加，K电子也越来越容易吸收这样的光子能量，因此衰减系数也逐渐增大，直到K吸收限波长为止。 如果入射X射线的波长比λK稍大一点，此时入射光子的能量已无法打出K电子，不产生K吸收。而对L层电子来说，入射光子的能量又过大，也不易被吸收，因此，入射X射线的波长比λK稍大一点时，衰减系数有最小值。同理，可以解释K吸收限至L吸收限之间曲线的变化规律。 X射线的衰减小结 宏观表现 强度衰减与穿过物质的质量和厚度有关 是X射线透射学的基础 这就是质厚衬度 微观机制 散射和吸收消耗了入射线的能量 这与吸波原理是一样的 吸收限的应用 ---X射线滤波片的选择 在一些衍射分析工作中，我们只希望是kα辐射的衍射线条，但X射线管中发出的X射线，除kα辐射外，还含有Kβ辐射和